參數(shù)資料
型號(hào)： M2V28D40ATP-10
廠商： Mitsubishi Electric Corporation
英文描述： 128M Double Data Rate Synchronous DRAM
中文描述： 128M的雙數(shù)據(jù)速率同步DRAM
文件頁數(shù)： 28/36頁
文件大小： 1216K
代理商： M2V28D40ATP-10
28
MITSUBISHI ELECTRIC
Jun,'00
Preliminary
MITSUBISHI LSIs
DDR SDRAM (Rev.0.1)
M2S28D20/ 30/ 40ATP
128M Double Data Rate Synchronous DRAM
Burst read operation can be interrupted by a burst stop command(TERM). READ to TERM interval
is minimum 1 CLK. A TERM command to output disable latency is equivalent to the /CAS Latency.
As a result, READ to TERM interval determines valid data length to be output. The figure below
shows examples of BL=8.
[Read Interrupted by Burst Stop]
Read Interrupted by TERM (BL=8)
CL=2.5
Command
DQS
Command
DQ
Command
DQ
Q0
Q1
Q2
Q3
Q0
Q1
/CLK
CLK
DQ
Q0
Q1
Q2
Q3
Q4
Q5
TERM
READ
READ
TERM
READ
TERM
DQS
DQS
CL=2.0
Command
DQS
Command
DQ
Command
DQ
Q0
Q1
Q2
Q3
Q0
Q1
DQ
Q0
Q1
Q2
Q3
Q4
Q5
TERM
READ
READ
TERM
READ
TERM
DQS
DQS
相關(guān)PDF資料
PDF描述
M2V28D40ATP-75 128M Double Data Rate Synchronous DRAM
M2S28D20ATP 128M Double Data Rate Synchronous DRAM
M2S28D20ATP-10 128M Double Data Rate Synchronous DRAM
M2S28D20ATP-75 128M Double Data Rate Synchronous DRAM
M2S28D30ATP 128M Double Data Rate Synchronous DRAM
相關(guān)代理商/技術(shù)參數(shù)
參數(shù)描述
M2V28D40ATP-75 制造商:MITSUBISHI 制造商全稱:Mitsubishi Electric Semiconductor 功能描述:128M Double Data Rate Synchronous DRAM
M2V28S20ATP 制造商:MITSUBISHI 制造商全稱:Mitsubishi Electric Semiconductor 功能描述:128M Synchronous DRAM
M2V28S20ATP-6 制造商:MITSUBISHI 制造商全稱:Mitsubishi Electric Semiconductor 功能描述:128M Synchronous DRAM
M2V28S20ATP-6L 制造商:MITSUBISHI 制造商全稱:Mitsubishi Electric Semiconductor 功能描述:128M Synchronous DRAM
M2V28S20ATP-7 制造商:MITSUBISHI 制造商全稱:Mitsubishi Electric Semiconductor 功能描述:128M Synchronous DRAM
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