參數(shù)資料
型號(hào)： M2S12D20TP-75L
廠商： Mitsubishi Electric Corporation
英文描述： 512M Double Data Rate Synchronous DRAM
中文描述： 512M雙數(shù)據(jù)速率同步DRAM
文件頁(yè)數(shù)： 30/38頁(yè)
文件大?。?/td> 754K
代理商： M2S12D20TP-75L
MITSUBISHI
ELECTRIC
-30-
M2S12D20/ 30TP -75, -75L, -10, -10L
512M Double Data Rate Synchronous DRAM
Feb. '02
MITSUBISHI LSIs
DDR SDRAM (Rev.1.1)
MITSUBISHI ELECTRIC
Burst read operation can be interrupted by a burst stop command(TERM). READ to TERM interval
is 1 CLK minimum. The time between TERM command to output disable equal to the CAS Latency.
As a result, READ to TERM interval determines valid data length to be output. The figure below
shows the example of BL=8.
[Read Interrupted by Burst Stop]
Read Interrupted by TERM (BL=8)
CL=2.5
Command
DQS
Command
DQ
Command
DQ
Q0
Q1
Q2
Q3
Q0
Q1
/CLK
CLK
DQ
Q0
Q1
Q2
Q3
Q4
Q5
TERM
READ
READ
TERM
READ
TERM
DQS
DQS
CL=2.0
Command
DQS
Command
DQ
Command
DQ
Q0
Q1
Q2
Q3
Q0
Q1
DQ
Q0
Q1
Q2
Q3
Q4
Q5
TERM
READ
READ
TERM
READ
TERM
DQS
DQS
相關(guān)PDF資料
PDF描述
M2S12D30TP 512M Double Data Rate Synchronous DRAM
M2S12D30TP-75L 512M Double Data Rate Synchronous DRAM
M2S12D20TP-75 128 x 64 pixel format, LED Backlight available
M2V12D20TP-75 128 x 64 pixel format, LED Backlight available
M2S12D30TP-75 128 x 64 pixel format, LED Backlight available
相關(guān)代理商/技術(shù)參數(shù)
參數(shù)描述
M2S12D30TP 制造商:MITSUBISHI 制造商全稱(chēng):Mitsubishi Electric Semiconductor 功能描述:512M Double Data Rate Synchronous DRAM
M2S12D30TP-10 制造商:MITSUBISHI 制造商全稱(chēng):Mitsubishi Electric Semiconductor 功能描述:512M Double Data Rate Synchronous DRAM
M2S12D30TP-10L 制造商:MITSUBISHI 制造商全稱(chēng):Mitsubishi Electric Semiconductor 功能描述:512M Double Data Rate Synchronous DRAM
M2S12D30TP-75 制造商:MITSUBISHI 制造商全稱(chēng):Mitsubishi Electric Semiconductor 功能描述:512M Double Data Rate Synchronous DRAM
M2S12D30TP-75L 制造商:MITSUBISHI 制造商全稱(chēng):Mitsubishi Electric Semiconductor 功能描述:512M Double Data Rate Synchronous DRAM
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