參數(shù)資料
型號： M29W040-200NZ6R
廠商： 意法半導體
英文描述： 4 Mbit 512Kb x8, Uniform Block Low Voltage Single Supply Flash Memory
中文描述： 4兆位512KB的× 8，統(tǒng)一座低電壓單電源閃存
文件頁數(shù)： 18/31頁
文件大小： 205K
代理商： M29W040-200NZ6R
AI01366B
E
G
W
A0-A18
DQ0-DQ7
VALID
VALID
VCC
tVCHWL
tEHWH
tEHEL
tWLEL
tAVEL
tEHGL
tELAX
tEHDX
WRITE CYCLE
tDVEH
tELEH
tGHEL
Figure 8. WriteAC Waveforms, E Controlled
Note:
Address are latched on thefalling edge of E, Data is latched on the rising edge of E.
18/31
M29W040
相關PDF資料
PDF描述
M29W040-200N1R 4 Mbit 512Kb x8, Uniform Block Low Voltage Single Supply Flash Memory
M29W040-200N1TR 4 Mbit 512Kb x8, Uniform Block Low Voltage Single Supply Flash Memory
M29W040 Excalibur Low-Noise High-Speed Precision Operational Amplifier 8-SOIC
M29W040-100K1R Excalibur Low-Noise High-Speed Precision Operational Amplifier 8-SOIC
M29W040-100K1TR Excalibur Low-Noise High-Speed Precision Operational Amplifier 8-PDIP 0 to 70
相關代理商/技術參數(shù)
參數(shù)描述
M29W040-200NZ6TR 制造商:STMICROELECTRONICS 制造商全稱:STMicroelectronics 功能描述:4 Mbit 512Kb x8, Uniform Block Low Voltage Single Supply Flash Memory
M29W040B 制造商:STMICROELECTRONICS 制造商全稱:STMicroelectronics 功能描述:4 Mbit 512Kb x8, Uniform Block Low Voltage Single Supply Flash Memory
M29W040B120K1 功能描述:閃存 4M (512Kx8) 120ns RoHS:否 制造商:ON Semiconductor 數(shù)據(jù)總線寬度:1 bit 存儲類型:Flash 存儲容量:2 MB 結構:256 K x 8 定時類型: 接口類型:SPI 訪問時間: 電源電壓-最大:3.6 V 電源電壓-最小:2.3 V 最大工作電流:15 mA 工作溫度:- 40 C to + 85 C 安裝風格:SMD/SMT 封裝 / 箱體: 封裝:Reel
M29W040B120K1E 制造商:STMICROELECTRONICS 制造商全稱:STMicroelectronics 功能描述:4 Mbit 512Kb x8, Uniform Block Low Voltage Single Supply Flash Memory
M29W040B120K1F 制造商:STMICROELECTRONICS 制造商全稱:STMicroelectronics 功能描述:4 Mbit 512Kb x8, Uniform Block Low Voltage Single Supply Flash Memory
發(fā)布緊急采購，3分鐘左右您將得到回復。

采購需求

(若只采購一條型號，填寫一行即可)

發(fā)布成功！您可以繼續(xù)發(fā)布采購。也可以進入我的后臺，查看報價

發(fā)布成功！您可以繼續(xù)發(fā)布采購。也可以進入我的后臺，查看報價

*型號 *數(shù)量 廠商 批號 封裝
添加更多采購

我的聯(lián)系方式

*
*
*