參數(shù)資料
型號(hào)： M28W640FCT10N6
廠商： STMICROELECTRONICS
元件分類： PROM
英文描述： 4M X 16 FLASH 3V PROM, 100 ns, PDSO48
封裝： 12 X 20 MM, PLASTIC, TSOP-48
文件頁數(shù)： 21/55頁
文件大?。?/td> 1141K
代理商： M28W640FCT10N6
M28W640FCT, M28W640FCB
28/55
Table 18. Write AC Characteristics, Chip Enable Controlled
Note: 1. Sampled only, not 100% tested.
2. Applicable if VPP is seen as a logic input (VPP < 3.6V).
Symbol
Alt
Parameter
M28W640FCT, M28W640FCB
Unit
70
85
90
10
tAVAV
tWC
Write Cycle Time
Min
708590
100
ns
tAVEH
tAS
Address Valid to Chip Enable High
Min
45
50
ns
tDVEH
tDS
Data Valid to Chip Enable High
Min
45
50
ns
tEHAX
tAH
Chip Enable High to Address
Transition
Min
0
000
ns
tEHDX
tDH
Chip Enable High to Data Transition
Min
0
ns
tEHEL
tCPH
Chip Enable High to Chip Enable Low
Min
25
30
ns
tEHGL
Chip Enable High to Output Enable
Low
Min
25253030
ns
tEHWH
tWH
Chip Enable High to Write Enable High
Min
0
ns
tELEH
tCP
Chip Enable Low to Chip Enable High
Min
45
50
ns
tELQV
Chip Enable Low to Output Valid
Min
70
85
90
100
ns
tQVVPL
(1,2)
Output Valid to VPP Low
Min
0
000
ns
tQVWPL
Data Valid to Write Protect Low
Min
0
ns
tVPHEH
(1)
tVPS
VPP High to Chip Enable High
Min
200
ns
tWLEL
tCS
Write Enable Low to Chip Enable Low
Min
0
ns
tWPHEH
Write Protect High to Chip Enable High
Min
45
50
ns
相關(guān)PDF資料
PDF描述
M28W640FCT85ZB1 4M X 16 FLASH 3V PROM, 85 ns, PBGA48
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M293 EPM 32 ELECTRONIC PROGRAM MEMORY FOR 32 STATIONS
M29DW324DT90ZA6F 2M X 16 FLASH 3V PROM, 90 ns, PBGA63
M29DW640F70N6F 4M X 16 FLASH 3V PROM, 70 ns, PDSO48
相關(guān)代理商/技術(shù)參數(shù)
參數(shù)描述
M28W640FCT70N6E 功能描述:閃存 STD FLASH 64 MEG RoHS:否 制造商:ON Semiconductor 數(shù)據(jù)總線寬度:1 bit 存儲(chǔ)類型:Flash 存儲(chǔ)容量:2 MB 結(jié)構(gòu):256 K x 8 定時(shí)類型: 接口類型:SPI 訪問時(shí)間: 電源電壓-最大:3.6 V 電源電壓-最小:2.3 V 最大工作電流:15 mA 工作溫度:- 40 C to + 85 C 安裝風(fēng)格:SMD/SMT 封裝 / 箱體: 封裝:Reel
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M28W640FSB70ZA6E 制造商:Micron Technology Inc 功能描述:PARALLEL NOR - Trays
M28W640FSB70ZA6F 制造商:Micron Technology Inc 功能描述:PARALLEL NOR - Tape and Reel
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