參數(shù)資料
型號(hào)： M27C512-70C
廠商： 意法半導(dǎo)體
英文描述： 512 Kbit 64Kb x8 UV EPROM and OTP EPROM
中文描述： 512千位64Kb的x8紫外線存儲(chǔ)器和OTP存儲(chǔ)器
文件頁(yè)數(shù)： 7/22頁(yè)
文件大?。?/td> 403K
代理商： M27C512-70C
15/22
M27C512
Table 12. Programming Mode AC Characteristics
Note: 1. TA = 25 °C; VCC = 6.25V ± 0.25V; VPP = 12.75V ± 0.25V
2. VCC must be applied simultaneously with or before VPP and removed simultaneously or after VPP.
3. Sampled only, not 100% tested.
Figure 11. Programming and Verify Modes AC Waveforms
Symbol
Alt
Parameter
Test Condition (1,2)
Min
Max
Unit
tAVEL
tAS
Address Valid to Chip Enable Low
2
s
tQVEL
tDS
Input Valid to Chip Enable Low
2
s
tVCHEL
tVCS
VCC High to Chip Enable Low
2s
tVPHEL
tOES
VPP High to Chip Enable Low
2s
tVPLVPH
tPRT
VPP Rise Time
50
ns
tELEH
tPW
Chip Enable Program Pulse Width (Initial)
95
105
s
tEHQX
tDH
Chip Enable High to Input Transition
2
s
tEHVPX
tOEH
Chip Enable High to VPP Transition
2s
tVPLEL
tVR
VPP Low to Chip Enable Low
2s
tELQV
tDV
Chip Enable Low to Output Valid
1
s
tEHQZ
(3)
tDFP
Chip Enable High to Output Hi-Z
0
130
ns
tEHAX
tAH
Chip Enable High to Address Transition
0
ns
AI00737
tVPLEL
PROGRAM
DATA IN
A0-A15
E
GVPP
Q0-Q7
DATA OUT
tAVEL
tQVEL
tVCHEL
tVPHEL
tEHQX
tEHVPX
tELEH
tELQV
tEHAX
tEHQZ
VERIFY
VALID
VCC
相關(guān)PDF資料
PDF描述
M59MR032C100GC6T 32 Mbit 2Mb x16, Mux I/O, Dual Bank, Burst 1.8V Supply Flash Memory
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參數(shù)描述
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