參數(shù)資料
型號: M27C512-25B3F
廠商: 意法半導體
英文描述: 512 Kbit 64Kb x8 UV EPROM and OTP EPROM
中文描述: 512千位64Kb的x8紫外線存儲器和OTP存儲器
文件頁數(shù): 5/22頁
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代理商: M27C512-25B3F
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M27C512
Table 10. Programming Mode DC Characteristics
Note: 1. TA = 25 °C; VCC = 6.25V ± 0.25V; VPP = 12.75V ± 0.25V
2. VCC must be applied simultaneously with or before VPP and removed simultaneously or after VPP.
Symbol
Parameter
Test Condition (1,2)
Min
Max
Unit
ILI
Input Leakage Current
VIL ≤ VIN ≤ VIH
±10
A
ICC
Supply Current
50
mA
IPP
Program Current
E = VIL
50
mA
VIL
Input Low Voltage
–0.3
0.8
V
VIH
Input High Voltage
2
VCC + 0.5
V
VOL
Output Low Voltage
IOL = 2.1mA
0.4
V
VOH
Output High Voltage TTL
IOH = –1mA
3.6
V
VID
A9 Voltage
11.5
12.5
V
相關PDF資料
PDF描述
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M27C512-25B6E 512 Kbit 64Kb x8 UV EPROM and OTP EPROM
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相關代理商/技術參數(shù)
參數(shù)描述
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