MCH3478-S-TL-H

配單專家企業(yè)名單

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封裝
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說明
操作

MCH3478-S-TL-H
深圳市華芯盛世科技有限公司
深圳市華芯盛世科技有限公司
聯(lián)系人：唐先生
電話：0755-8322569219129381337（微信同號）
地址：廣東省深圳市福田區(qū)上步工業(yè)區(qū)201棟316室。
865000
原廠封裝
最新批號
-
代理此型號.原裝特價現(xiàn)貨！

MCH3478-S-TL-H
深圳市毅創(chuàng)輝電子科技有限公司
深圳市毅創(chuàng)輝電子科技有限公司
聯(lián)系人：史仙雁
電話：19129911934（手機優(yōu)先微信同號）0755-82813018
地址：深圳市福田區(qū)華強北街道華強北路1016號寶華大廈A座2028室
3200
ON Semiconductor
ROHS
1308+
-
全新原裝現(xiàn)貨庫存！400-800-030...

MCH3478-S-TL-H
深圳市毅創(chuàng)輝電子科技有限公司
深圳市毅創(chuàng)輝電子科技有限公司
聯(lián)系人：何芝
電話：19129491934(手機優(yōu)先微信同號)0755-82865099
地址：深圳市福田區(qū)華強北街道華強北路1016號寶華大廈A座2028室
資質(zhì)：營業(yè)執(zhí)照
6755
ON Semiconductor
MCPH-3
201321
-
原裝正品，現(xiàn)貨庫存。400-800-03...

MCH3478-S-TL-H
深圳市華雄半導體（集團）有限公司
深圳市華雄半導體（集團）有限公司
聯(lián)系人：雷精云
電話：18988598856
地址：深圳龍崗區(qū)棕科云端大廈1棟B座15層
資質(zhì)：營業(yè)執(zhí)照
3923
ON
SOT323
2231+
-
十年專營，供應原裝正品！熱賣現(xiàn)貨！

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功能描述
MOSFET
RoHS
否
制造商
STMicroelectronics
晶體管極性
N-Channel
汲極/源極擊穿電壓
650 V
閘/源擊穿電壓
25 V
漏極連續(xù)電流
130 A
電阻汲極/源極 RDS（導通）
0.014 Ohms
配置
Single
最大工作溫度
安裝風格
Through Hole
封裝 / 箱體
Max247
封裝
Tube

MCH3478-S-TL-H 技術(shù)參數(shù)

MCH3475-TL-E 功能描述:MOSFET N-CH 30V 1.8A MCPH3 制造商:on semiconductor 系列:- 包裝:剪切帶（CT）零件狀態(tài):Not Recommended For New Designs FET 類型:MOSFET N 通道，金屬氧化物 FET 功能:邏輯電平柵極，4V 驅(qū)動漏源極電壓（Vdss）:30V 電流 - 連續(xù)漏極（Id）（25°C 時）:1.8A（Ta）不同?Id，Vgs 時的?Rds On（最大值）:180 毫歐 @ 900mA，10V 不同 Id 時的 Vgs（th）（最大值）:- 不同 Vgs 時的柵極電荷（Qg）:2nC @ 10V 不同 Vds 時的輸入電容（Ciss）:88pF @ 10V 功率 - 最大值:800mW 工作溫度:150°C（TJ）安裝類型:表面貼裝封裝/外殼:3-SMD，扁平引線供應商器件封裝:SC-70FL/MCPH3 標準包裝:1 MCH3427-TL-E 功能描述:MOSFET N-CH 20V 4A MCPH3 制造商:sanyo semiconductor (u.s.a) corporation 系列:- 包裝:剪切帶（CT）零件狀態(tài):過期 FET 類型:MOSFET N 通道，金屬氧化物 FET 功能:邏輯電平柵極，1.8V 驅(qū)動漏源極電壓（Vdss）:20V 電流 - 連續(xù)漏極（Id）（25°C 時）:4A（Ta）不同?Id，Vgs 時的?Rds On（最大值）:52 毫歐 @ 2A，4V 不同 Id 時的 Vgs（th）（最大值）:- 不同 Vgs 時的柵極電荷（Qg）:6nC @ 4V 不同 Vds 時的輸入電容（Ciss）:400pF @ 10V 功率 - 最大值:1W 工作溫度:150°C（TJ）安裝類型:表面貼裝封裝/外殼:3-SMD，扁平引線供應商器件封裝:3-MCPH 標準包裝:1 MCH3421-TL-E 功能描述:MOSFET N-CH 100V 0.8A MCPH3 制造商:sanyo semiconductor (u.s.a) corporation 系列:- 包裝:剪切帶（CT）零件狀態(tài):過期 FET 類型:MOSFET N 通道，金屬氧化物 FET 功能:邏輯電平柵極，4V 驅(qū)動漏源極電壓（Vdss）:100V 電流 - 連續(xù)漏極（Id）（25°C 時）:800mA（Ta）不同?Id，Vgs 時的?Rds On（最大值）:890 毫歐 @ 400mA，10V 不同 Id 時的 Vgs（th）（最大值）:- 不同 Vgs 時的柵極電荷（Qg）:4.8nC @ 10V 不同 Vds 時的輸入電容（Ciss）:165pF @ 20V 功率 - 最大值:900mW 工作溫度:150°C（TJ）安裝類型:表面貼裝封裝/外殼:3-SMD，扁平引線供應商器件封裝:3-MCPH 標準包裝:1 MCH3377-TL-E 功能描述:MOSFET P-CH 20V 3A MCPH3 制造商:on semiconductor 系列:- 包裝:剪切帶（CT）零件狀態(tài):停產(chǎn) FET 類型:MOSFET P 通道，金屬氧化物 FET 功能:邏輯電平柵極，1.8V 驅(qū)動漏源極電壓（Vdss）:20V 電流 - 連續(xù)漏極（Id）（25°C 時）:3A（Ta）不同?Id，Vgs 時的?Rds On（最大值）:83 毫歐 @ 1.5A，4.5V 不同 Id 時的 Vgs（th）（最大值）:- 不同 Vgs 時的柵極電荷（Qg）:4.6nC @ 4.5V 不同 Vds 時的輸入電容（Ciss）:375pF @ 10V 功率 - 最大值:1W 工作溫度:150°C（TJ）安裝類型:表面貼裝封裝/外殼:3-SMD，扁平引線供應商器件封裝:3-MCPH 標準包裝:1 MCH185FN473ZK 功能描述:0.047μF 50V 陶瓷電容器 Y5V（F） 0603（1608 公制） 0.063" 長 x 0.031" 寬（1.60mm x 0.80mm）制造商:rohm semiconductor 系列:- 包裝:剪切帶（CT）零件狀態(tài):過期電容:0.047μF 容差:-20%，+80% 電壓 - 額定:50V 溫度系數(shù):Y5V（F）安裝類型:表面貼裝，MLCC 工作溫度:-30°C ~ 85°C 應用:通用等級:- 封裝/外殼:0603（1608 公制）大小/尺寸:0.063" 長 x 0.031" 寬（1.60mm x 0.80mm）高度 - 安裝（最大值）:0.035"（0.90mm）厚度（最大值）:- 引線間距:- 特性:- 引線形式:- 標準包裝:10 MCH3486-TL-H MCH3486-TL-W MCH38FK102J MCH38FK102J-Y MCH38FK271J MCH38FK271J-Y MCH38FK331J MCH38FK331J-Y MCH38FK391J MCH38FK391J-Y MCH38FK471J MCH38FK471J-Y MCH38FK561J MCH38FK561J-Y MCH38FK681J MCH38FK681J-Y MCH38FK821J MCH38FK821J-Y