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MCH38FK471J

配單專家企業(yè)名單
  • 型號(hào)
  • 供應(yīng)商
  • 數(shù)量
  • 廠商
  • 封裝
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  • MCH38FK471J
    MCH38FK471J

    MCH38FK471J

  • 北京耐芯威科技有限公司
    北京耐芯威科技有限公司

    聯(lián)系人:劉先生

    電話:010-6210493162104891621045786210643162104791

    地址:北京市海淀區(qū)中關(guān)村大街32號(hào)和盛嘉業(yè)大廈10層1009室

    資質(zhì):營業(yè)執(zhí)照

  • 5000

  • Cornell Dubilier Electron

  • 標(biāo)準(zhǔn)封裝

  • 16+

  • -
  • 假一罰十,百分百原裝

  • 1/1頁 40條/頁 共3條 
  • 1
MCH38FK471J PDF下載 圖文及資料僅供參考,以實(shí)際PDF為準(zhǔn)
  • 功能描述
  • 云母電容器 470pF 2500V
  • RoHS
  • 電容
  • 100 pF
  • 容差
  • 5 %
  • 電壓額定值
  • 300 V
  • 工作溫度范圍
  • - 55 C to + 125 C
  • 溫度系數(shù)
  • 0 PPM / C, 70 PPM / C
  • 端接類型
  • Radial
  • 封裝 / 箱體
  • 產(chǎn)品
  • Mica Standard Dipped Capacitors
  • 制造商
  • Cornell Dubilier
MCH38FK471J 技術(shù)參數(shù)
  • MCH3475-TL-E 功能描述:MOSFET N-CH 30V 1.8A MCPH3 制造商:on semiconductor 系列:- 包裝:剪切帶(CT) 零件狀態(tài):Not Recommended For New Designs FET 類型:MOSFET N 通道,金屬氧化物 FET 功能:邏輯電平柵極,4V 驅(qū)動(dòng) 漏源極電壓(Vdss):30V 電流 - 連續(xù)漏極(Id)(25°C 時(shí)):1.8A(Ta) 不同?Id,Vgs 時(shí)的?Rds On(最大值):180 毫歐 @ 900mA,10V 不同 Id 時(shí)的 Vgs(th)(最大值):- 不同 Vgs 時(shí)的柵極電荷(Qg):2nC @ 10V 不同 Vds 時(shí)的輸入電容(Ciss):88pF @ 10V 功率 - 最大值:800mW 工作溫度:150°C(TJ) 安裝類型:表面貼裝 封裝/外殼:3-SMD,扁平引線 供應(yīng)商器件封裝:SC-70FL/MCPH3 標(biāo)準(zhǔn)包裝:1 MCH3427-TL-E 功能描述:MOSFET N-CH 20V 4A MCPH3 制造商:sanyo semiconductor (u.s.a) corporation 系列:- 包裝:剪切帶(CT) 零件狀態(tài):過期 FET 類型:MOSFET N 通道,金屬氧化物 FET 功能:邏輯電平柵極,1.8V 驅(qū)動(dòng) 漏源極電壓(Vdss):20V 電流 - 連續(xù)漏極(Id)(25°C 時(shí)):4A(Ta) 不同?Id,Vgs 時(shí)的?Rds On(最大值):52 毫歐 @ 2A,4V 不同 Id 時(shí)的 Vgs(th)(最大值):- 不同 Vgs 時(shí)的柵極電荷(Qg):6nC @ 4V 不同 Vds 時(shí)的輸入電容(Ciss):400pF @ 10V 功率 - 最大值:1W 工作溫度:150°C(TJ) 安裝類型:表面貼裝 封裝/外殼:3-SMD,扁平引線 供應(yīng)商器件封裝:3-MCPH 標(biāo)準(zhǔn)包裝:1 MCH3421-TL-E 功能描述:MOSFET N-CH 100V 0.8A MCPH3 制造商:sanyo semiconductor (u.s.a) corporation 系列:- 包裝:剪切帶(CT) 零件狀態(tài):過期 FET 類型:MOSFET N 通道,金屬氧化物 FET 功能:邏輯電平柵極,4V 驅(qū)動(dòng) 漏源極電壓(Vdss):100V 電流 - 連續(xù)漏極(Id)(25°C 時(shí)):800mA(Ta) 不同?Id,Vgs 時(shí)的?Rds On(最大值):890 毫歐 @ 400mA,10V 不同 Id 時(shí)的 Vgs(th)(最大值):- 不同 Vgs 時(shí)的柵極電荷(Qg):4.8nC @ 10V 不同 Vds 時(shí)的輸入電容(Ciss):165pF @ 20V 功率 - 最大值:900mW 工作溫度:150°C(TJ) 安裝類型:表面貼裝 封裝/外殼:3-SMD,扁平引線 供應(yīng)商器件封裝:3-MCPH 標(biāo)準(zhǔn)包裝:1 MCH3377-TL-E 功能描述:MOSFET P-CH 20V 3A MCPH3 制造商:on semiconductor 系列:- 包裝:剪切帶(CT) 零件狀態(tài):停產(chǎn) FET 類型:MOSFET P 通道,金屬氧化物 FET 功能:邏輯電平柵極,1.8V 驅(qū)動(dòng) 漏源極電壓(Vdss):20V 電流 - 連續(xù)漏極(Id)(25°C 時(shí)):3A(Ta) 不同?Id,Vgs 時(shí)的?Rds On(最大值):83 毫歐 @ 1.5A,4.5V 不同 Id 時(shí)的 Vgs(th)(最大值):- 不同 Vgs 時(shí)的柵極電荷(Qg):4.6nC @ 4.5V 不同 Vds 時(shí)的輸入電容(Ciss):375pF @ 10V 功率 - 最大值:1W 工作溫度:150°C(TJ) 安裝類型:表面貼裝 封裝/外殼:3-SMD,扁平引線 供應(yīng)商器件封裝:3-MCPH 標(biāo)準(zhǔn)包裝:1 MCH185FN473ZK 功能描述:0.047μF 50V 陶瓷電容器 Y5V(F) 0603(1608 公制) 0.063" 長 x 0.031" 寬(1.60mm x 0.80mm) 制造商:rohm semiconductor 系列:- 包裝:剪切帶(CT) 零件狀態(tài):過期 電容:0.047μF 容差:-20%,+80% 電壓 - 額定:50V 溫度系數(shù):Y5V(F) 安裝類型:表面貼裝,MLCC 工作溫度:-30°C ~ 85°C 應(yīng)用:通用 等級(jí):- 封裝/外殼:0603(1608 公制) 大小/尺寸:0.063" 長 x 0.031" 寬(1.60mm x 0.80mm) 高度 - 安裝(最大值):0.035"(0.90mm) 厚度(最大值):- 引線間距:- 特性:- 引線形式:- 標(biāo)準(zhǔn)包裝:10 MCH38FM101J MCH38FM101J-Y MCH38FM120J MCH38FM120J-Y MCH38FM121J MCH38FM121J-Y MCH38FM150J MCH38FM150J-Y MCH38FM151J MCH38FM151J-Y MCH38FM180J MCH38FM180J-Y MCH38FM181J MCH38FM181J-Y MCH38FM220J MCH38FM220J-Y MCH38FM221J MCH38FM221J-Y
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