參數(shù)資料
型號： LTC3878IGN#PBF
廠商： LINEAR TECHNOLOGY CORP
元件分類： 穩(wěn)壓器
英文描述： SWITCHING CONTROLLER, PDSO16
封裝： 0.150 INCH, LEAD FREE, PLASTIC, SSOP-16
文件頁數(shù)： 2/26頁
文件大?。?/td> 399K
代理商： LTC3878IGN#PBF
LTC3878
0
3878fa
applicaTions inForMaTion
ThebasicLTC3878applicationcircuitisshownonthefirst
pageofthisdatasheet.Externalcomponentselectionis
largelydeterminedbymaximumloadcurrentandbegins
withtheselectionofsenseresistanceandpowerMOSFET
switches.TheLTC3878usestheon-resistanceofthesyn-
chronouspowerMOSFETtodeterminetheinductorcurrent.
Thedesiredripplecurrentandoperatingfrequencylargely
determinestheinductorvalue.Finally,CINisselectedforits
abilitytohandlethelargeRMScurrentintotheconverter,
andCOUTischosenwithlowenoughESRtomeetoutput
voltagerippleandtransientspecifications.
MaximumVDSSenseVoltageandVRNGPin
Inductor current is measured by sensing the bottom
MOSFET VDS voltage that appears between the PGND
andSWpins.ThemaximumallowedVDSsensevoltageis
setbythevoltageappliedtotheVRNGpinandisapproxi-
matelyequalto(0.133)VRNG.Thecurrentmodecontrol
loopdoesnotallowtheinductorcurrentvalleystoexceed
(0.133)VRNG.Inpractice,oneshouldallowmargin,toac-
countforvariationsintheLTC3878andexternalcomponent
values.AgoodguideforsettingVRNGis:
VRNG=7.5(MaximumVDSSenseVoltage)
An external resistive divider from INTVCCcanbeused
tosetthevoltageontheVRNGpinbetween0.2Vand2V,
resulting in peak sense voltages between 26.6mV and
266mV.Thewidepeakvoltagesenserangeallowsfora
varietyofapplicationsandMOSFETchoices.TheVRNGpin
canalsobetiedtoeitherSGNDorINTVCCtoforceinternal
defaults.WhenVRNGistiedtoSGND,thedeviceoperates
atavalleycurrentsensethresholdof93mVtypical.IfVRNG
istiedtoINTVCC,thedeviceoperatesatavalleycurrent
sensethresholdof186mVtypical.
PowerMOSFETSelection
The LTC3878 requires two external N-channel power
MOSFETs,oneforthetop(main)switchandoneforthe
bottom(synchronous)switch.Importantparametersfor
thepowerMOSFETsarethebreakdownvoltageVBR(DSS),
threshold voltage VGS(TH), on-resistance RDS(ON), re-
versetransfercapacitanceCRSSandmaximumcurrent
IDS(MAX).
Thegatedrivevoltagesaresetbythe5.3VINTVCCsupply.
Consequently,logic-levelthresholdMOSFETsmustbeused
inLTC3878applications.Iftheinputvoltageisexpected
todropbelow5V,thensub-logiclevelthresholdMOSFETs
shouldbeconsidered.
UsingthebottomMOSFETasthecurrentsenseelement
requiresparticularattentionbepaidtoitson-resistance.
MOSFETon-resistanceistypicallyspecifiedwithamaxi-
mumvalueRDS(ON)(MAX)at25°C.Inthiscaseadditional
marginisrequiredtoaccommodatetheriseinMOSFET
on-resistancewithtemperature.
R
Max V Sense Voltage
I
DS ON MAX
DS
OUT
T
( )(
)
=
ρ
The
ρT term is a normalization factor (unity at 25°C)
accountingforthesignificantvariationinon-resistance
withtemperature,typicallyabout0.4%/°C,asshownin
Figure1.Foramaximumjunctiontemperatureof100°C
usingavalueof
ρT=1.3isreasonable.
ThepowerdissipatedbythetopandbottomMOSFETs
dependsupontheirrespectivedutycyclesandtheload
current.WhentheLTC3878isoperatingincontinuous
mode,thedutycyclesfortheMOSFETsare:
D
V
D
V
TOP
OUT
IN
BOT
IN
OUT
IN
=
–
Figure1.RDS(ON)vsTemperature
JUNCTION TEMPERATURE (°C)
–50
TNORMALIZED
ON-RESIST
ANCE
()
1.0
1.5
150
3878 F01
0.5
0
50
100
2.0
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PDF描述
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