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參數資料
| 型號： | LP3981IMM-3.0 |
| 廠商： | NATIONAL SEMICONDUCTOR CORP |
| 元件分類： | 基準電壓源/電流源 |
| 英文描述： | Micropower, 300mA Ultra Low-Dropout CMOS Voltage |
| 中文描述： | 3 V FIXED POSITIVE LDO REGULATOR, 0.2 V DROPOUT, PDSO8 |
| 封裝： | MSOP-8 |
| 文件頁數： | 8/11頁 |
| 文件大?。?/td> | 339K |
| 代理商： | LP3981IMM-3.0 |
Typical Performance Characteristics
Unless otherwise specified, C
IN
= C
OUT
= 2.2 μF Ceramic,
C
BP
= 0.033 μF, V
IN
= V
OUT
+ 0.5V, T
A
= 25C, Enable pin is tied to V
IN
. (Continued)
Line Transient Response
(V
IN
= V
OUT
+ 1V to V
OUT
+ 1.6V)
Line Transient Response
(V
IN
= V
OUT
+ 1V to V
OUT
+ 1.6V)
20020326
20020327
Line Transient Response
(V
IN
= V
OUT
+ 1V to V
OUT
+ 1.6V)
Line Transient Response
(V
IN
= V
OUT
+ 1V to V
OUT
+ 1.6V)
20020328
20020329
Enable Response (T
ON
)
Enable Response (T
ON
)
20020330
20020331
Application Hints
POWER DISSIPATION AND DEVICE OPERATION
The permissible power dissipation for any package is a
measure of the capability of the device to pass heat from the
power source, the junctions of the IC, to the ultimate heat
sink, the ambient environment. Thus, the power dissipation
is dependant on the ambient temperature and the thermal
resistance across the various interfaces between the die and
ambient air.
As stated in notes 3 and 5 in the electrical specifications
sections, the allowable power dissipation for the device in a
given package can be calculated using the equation:
With a
θ
JA
= 50C/W, the device in theLLP package returns
a value of 2.0W with a maximum junction temperature of
L
www.national.com
8
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