型號(hào): | LM5109MA |
廠商: | NATIONAL SEMICONDUCTOR CORP |
元件分類: | 功率晶體管 |
英文描述: | 100V / 1A Peak Half Bridge Gate Driver |
中文描述: | 1 A HALF BRDG BASED MOSFET DRIVER, PDSO8 |
封裝: | MS-012AA, SOIC-8 |
文件頁(yè)數(shù): | 9/9頁(yè) |
文件大?。?/td> | 657K |
代理商: | LM5109MA |
相關(guān)PDF資料 |
PDF描述 |
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LM5109MAX | 100V / 1A Peak Half Bridge Gate Driver |
LM5109 | 100V / 1A Peak Half Bridge Gate Driver |
LM5110-2M | Dual 5A Compound Gate Driver with Negative Output Voltage Capability |
LM5110-2MX | Dual 5A Compound Gate Driver with Negative Output Voltage Capability |
LM5110-2SD | Dual 5A Compound Gate Driver with Negative Output Voltage Capability |
相關(guān)代理商/技術(shù)參數(shù) |
參數(shù)描述 |
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LM5109MA/NOPB | 功能描述:功率驅(qū)動(dòng)器IC RoHS:否 制造商:Micrel 產(chǎn)品:MOSFET Gate Drivers 類型:Low Cost High or Low Side MOSFET Driver 上升時(shí)間: 下降時(shí)間: 電源電壓-最大:30 V 電源電壓-最小:2.75 V 電源電流: 最大功率耗散: 最大工作溫度:+ 85 C 安裝風(fēng)格:SMD/SMT 封裝 / 箱體:SOIC-8 封裝:Tube |
LM5109MAX | 功能描述:功率驅(qū)動(dòng)器IC RoHS:否 制造商:Micrel 產(chǎn)品:MOSFET Gate Drivers 類型:Low Cost High or Low Side MOSFET Driver 上升時(shí)間: 下降時(shí)間: 電源電壓-最大:30 V 電源電壓-最小:2.75 V 電源電流: 最大功率耗散: 最大工作溫度:+ 85 C 安裝風(fēng)格:SMD/SMT 封裝 / 箱體:SOIC-8 封裝:Tube |
LM5109MAX/J7001236 | 制造商:Rochester Electronics LLC 功能描述: 制造商:Texas Instruments 功能描述: |
LM5109MAX/NOPB | 功能描述:功率驅(qū)動(dòng)器IC RoHS:否 制造商:Micrel 產(chǎn)品:MOSFET Gate Drivers 類型:Low Cost High or Low Side MOSFET Driver 上升時(shí)間: 下降時(shí)間: 電源電壓-最大:30 V 電源電壓-最小:2.75 V 電源電流: 最大功率耗散: 最大工作溫度:+ 85 C 安裝風(fēng)格:SMD/SMT 封裝 / 箱體:SOIC-8 封裝:Tube |
LM5109SD | 功能描述:IC DVR HALF-BRIDGE 100V 1A 8LLP RoHS:是 類別:集成電路 (IC) >> PMIC - MOSFET,電橋驅(qū)動(dòng)器 - 外部開(kāi)關(guān) 系列:- 標(biāo)準(zhǔn)包裝:5 系列:- 配置:低端 輸入類型:非反相 延遲時(shí)間:600ns 電流 - 峰:12A 配置數(shù):1 輸出數(shù):1 高端電壓 - 最大(自引導(dǎo)啟動(dòng)):- 電源電壓:14.2 V ~ 15.8 V 工作溫度:-20°C ~ 60°C 安裝類型:通孔 封裝/外殼:21-SIP 模塊 供應(yīng)商設(shè)備封裝:模塊 包裝:散裝 配用:BG2A-NF-ND - KIT DEV BOARD FOR IGBT 其它名稱:835-1063 |