參數(shù)資料
型號： LM311DR2G
廠商： ON Semiconductor
文件頁數(shù)： 5/9頁
文件大?。?/td> 0K
描述： IC COMPARATOR SGL HI VOLT 8SOIC
標準包裝： 1
類型： 通用
元件數(shù)： 1
輸出類型： DTL，MOS，開路集電極，開路發(fā)射極，RTL，TTL
電壓 - 電源，單路/雙路(±)： 5 V ~ 30 V，±2.5 V ~ 15 V
電壓 - 輸入偏移（最小值）： 7.5mV @ ±15V
電流 - 輸入偏壓（最小值）： 0.25µA @ ±15V
電流 - 靜態(tài)（最大值）： 7.5mA
工作溫度： 0°C ~ 70°C
封裝/外殼： 8-SOIC（0.154"，3.90mm 寬）
安裝類型： 表面貼裝
包裝： 標準包裝
產品目錄頁面： 1129 (CN2011-ZH PDF)
其它名稱： LM311DR2GOSDKR
LM211, LM311
http://onsemi.com
5
Figure 9. Response Time for
Various Input Overdrives
Figure 10. Response Time for
Various Input Overdrives
Figure 11. Output Short Circuit Current
Characteristics and Power Dissipation
Figure 12. Output Saturation Voltage
versus Output Current
tTLH, RESPONSE TIME (ms)
tTHL, RESPONSE TIME (ms)
VO, OUTPUT VOLTAGE (V)
IO, OUTPUT CURRENT (mA)
V
in
INPUT
VOL
TAGE
(mV)
,
V
O
,OUTPUT
VOL
TAGE
(V
)
V
in
INPUT
VOL
TAGE
(mV)
,
V
O
,OUTPUT
VOL
TAGE
(V)
OUTPUT
SHOR
T
CIRCUIT
CURRENT
(mA)
V
OL
,SA
TURA
TION
VOL
TAGE
(V)
P
D
,POWER
DISSIP
A
TION
(W)
15
10
5.0
0
-5.0
-10
-15
0
-50
-100
0
1.0
2.0
0
1.0
2.0
15
10
5.0
0
-5.0
-10
-15
0
50
100
150
125
100
75
50
25
0
5.0
10
15
0.90
0.75
0.60
0.45
0.30
0.15
0
0.90
0.75
0.60
0.45
0.30
0.15
0
8.0
16
24
32
40
48
56
TA = +25°C
TA = -55°C
TA = +25°C
TA = +125°C
20 mV
5.0 mV
2.0 mV
Vin
VCC
VO
2.0k
VEE
*
)
20 mV
5.0 mV
2.0 mV
Vin
VCC
VO
2.0k
VEE
*
)
Power Dissipation
Short Circuit Current
VCC = +15 V
VEE = -15 V
TA = +25°C
VCC = +15 V
VEE = -15 V
TA = +25°C
Figure 13. Output Leakage Current
versus Temperature
Figure 14. Power Supply Current
versus Supply Voltage
OUTPUT
LEAKAGE
CURRENT
(mA)
POWER
SUPPL
Y
CURRENT
(mA)
TA, TEMPERATURE (°C)
VCC-VEE, POWER SUPPLY VOLTAGE (V)
100
10
1.0
0.1
0.01
25
45
65
85
105
125
3.6
3.0
2.4
1.8
1.2
0.6
0
5.0
10
15
20
25
30
VCC = +15 V
VEE = -15 V
TA = +25°C
Output VO = +50 V (LM211 only)
Positive Supply - Output Low
Positive and Negative Power Supply - Output H igh
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