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參數(shù)資料
| 型號： | LLE16120X |
| 廠商： | NXP SEMICONDUCTORS |
| 元件分類： | 功率晶體管 |
| 英文描述： | NPN microwave power transistor |
| 中文描述： | L BAND, Si, NPN, RF POWER TRANSISTOR |
| 封裝： | METAL CERAMIC, SOT-437A, 3 PIN |
| 文件頁數(shù)： | 7/12頁 |
| 文件大?。?/td> | 74K |
| 代理商： | LLE16120X |
1997 Feb 18
7
Philips Semiconductors
Product specification
NPN microwave power transistor
LLE16120X
Fig.8 Input impedance as a function of frequency; typical values.
V
CE
= 24 V; Z
o
= 10
; I
CQ
= 0.1 A.
handbook, full pagewidth
0.2
0.5
1
2
5
10
∞
0.2
0.5
1
2
5
10
0
+ j
– j
MGA247
Zi
1.65
1.75
1.85 GHz
0.2
0.5
1
10
5
2
Fig.9 Optimum load impedance as a function of frequency; typical values.
V
CE
= 24 V; Z
o
= 10
; I
CQ
= 0.1 A.
handbook, full pagewidth
0.2
0.5
1
2
5
10
∞
0.2
0.5
1
2
5
10
0
+ j
– j
MGA248
ZL
1.65
1.75
1.85 GHz
0.2
0.5
1
2
10
5
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