參數資料
型號： LH28F020SUN-L12
英文描述： x8 Flash EEPROM
中文描述： x8閃存EEPROM的
文件頁數： 48/56頁
文件大?。?/td> 373K
代理商： LH28F020SUN-L12
LH28F160S5-L/S5H-L
- 48 -
(NOTE 1)
(NOTE 2)
(NOTE 3)
(NOTE 4)
(NOTE 5)
(NOTE 6)
V
IL
V
IH
High Z
V
IH
V
IH
V
IH
V
IL
V
IL
V
IL
V
IL
V
IL
V
IH
V
IL
V
PPLK
V
PPH1
V
IH
V
IL
ADDRESSES (A)
WE# (W)
OE# (G)
CE# (E)
DATA (D/Q)
RP# (P)
V
PP
(V)
STS (R)
WP# (S)
V
IL
V
IH
A
IN
A
IN
t
AVAV
t
AVEH
t
WLEL
t
EHWH
t
EHGL
t
EHEL
t
EHQV1/2/3/4
t
ELEH
t
DVEH
t
EHDX
Valid
SRD
t
PHEL
t
EHRL
t
VPEH
t
QVVL
D
IN
D
IN
High Z
D
IN
t
SHEH
t
QVSL
t
EHAX
Fig. 18 AC Waveform for CE#-Controlled Write Operations
NOTES :
1.
V
CC
power-up and standby.
2.
Write erase or write setup.
3.
Write erase confirm or valid address and data.
4.
Automated erase or program delay.
5.
Read status register data.
6.
Write Read Array command.
7.
CE# is defined as the latter of CE
0
# and CE
1
# going Low or the first of CE
0
# or CE
1
# going High.
相關PDF資料
PDF描述
LH28F032SUTD-70 x8/x16 Flash EEPROM Module
LH28F160BJB-BTL90 Flash ROM
LH28F160S3HNS-L10 Flash ROM
LH28F160S3HNS-L12 EEPROM
LH28F160S3HR-L10 x8/x16 Flash EEPROM
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LH28F128SPHTD-PTLZ5 制造商:Sharp Microelectronics 功能描述:128M MULTI LEVEL CELL 120NS 制造商:Sharp Microelectronics Corporation 功能描述:FLASH PARALLEL 3V/3.3V 128MBIT 16MX8/8MX16 120NS 56TSOP - Trays
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