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參數(shù)資料
| 型號(hào)： | LE28CV1001T-15 |
| 廠商： | Sanyo Electric Co.,Ltd. |
| 英文描述： | 5015 RR 5#12 PIN RECP |
| 中文描述： | 1MEG（131072字× 8位）快閃記憶體 |
| 文件頁數(shù)： | 7/14頁 |
| 文件大小： | 276K |
| 代理商： | LE28CV1001T-15 |
AC Electrical Characteristics
at Ta = 0 to +70°C, V
DD
= 3.3 V ± 0.3 V
AC Testing Conditions (See Figure 8)
Input rise and fall time: ..................10 ns (max.)
Output load:....................................1 TTL gate + 30 pF
Read Cycle
Page Write Cycle
Note:
*
typ is reference value at V
DD
= 3.3 V and Ta = 25°C
Figure 1 Read Cycle
No. 5409-7/14
LE28CV1001M, T-12/15
Parameter
Symbol
min
typ
*
max
Unit
Write cycle time (erase and program)
t
WC
t
AS
t
AH
t
CS
t
CH
t
OES
t
OEH
t
CP
t
WP
t
DS
t
DH
t
BLC
t
BLCO
5
10
ms
Address setup time
0
ns
Address hold time
100
ns
CE setup time
0
ns
CE hold time
0
ns
OE setup time
0
ns
OE hold time
0
ns
CE pulse width
120
ns
WE pulse width
120
ns
Data setup time
100
ns
Data hold time
0
ns
Byte load cycle time
0.10
100
μs
Byte load time out time
200
μs
LE28CV1001M, T
Parameter
Symbol
-12
-15
Unit
min
max
min
max
Read cycle time
t
RC
t
CE
t
AA
t
OE
t
CLZ
t
OLZ
t
CHZ
t
OHZ
t
OH
120
150
ns
CE access time
120
150
ns
Address access time
120
150
ns
OE access time
80
90
ns
Output low-impedance time from CE
0
0
ns
Output low-impedance time from OE
0
0
ns
Output high-impedance time from CE
50
50
ns
Output high-impedance time from OE
50
50
ns
Output valid time from address input
0
0
ns
相關(guān)PDF資料 |
PDF描述 |
|---|---|
| LE28CV1001T | 1MEG (131072 words x 8 bits) Flash Memory |
| LE28DW1621T-80T | 16 Megabit FlashBank Memory |
| LE28DW1621T | 16 Megabit FlashBank Memory |
| LE28DW8102T | 8 Megabit FlashBank Memory LE28DW8102T |
| LE28DW8102T-90 | EEPROM |
相關(guān)代理商/技術(shù)參數(shù) |
參數(shù)描述 |
|---|---|
| LE28DW1621T | 制造商:SANYO 制造商全稱:Sanyo Semicon Device 功能描述:16 Megabit FlashBank Memory |
| LE28DW1621T-80T | 制造商:SANYO 制造商全稱:Sanyo Semicon Device 功能描述:16 Megabit FlashBank Memory |
| LE28DW3215AT-80 | 制造商:未知廠家 制造商全稱:未知廠家 功能描述:EEPROM |
| LE28DW8102T | 制造商:SANYO 制造商全稱:Sanyo Semicon Device 功能描述:8 Megabit FlashBank Memory LE28DW8102T |
| LE28DW8102T-90 | 制造商:SANYO 制造商全稱:Sanyo Semicon Device 功能描述:EEPROM |
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