參數(shù)資料
型號(hào)： LE28C1001T-15
廠商： Sanyo Electric Co.,Ltd.
英文描述： 5015 RR 2#12 2#16 PIN RECP
中文描述： 1MEG（131072字× 8位）快閃記憶體
文件頁(yè)數(shù)： 7/14頁(yè)
文件大?。?/td> 281K
代理商： LE28C1001T-15
AC Electrical Characteristics
at Ta = 0 to +70°C, V
CC
= 5 V ± 10%
AC Testing Conditions (See Figure 9)
Input rise and fall times: ................10 ns (max.)
Output load:....................................1 TTL gate + 100 pF
Read Cycle
Page Write Cycle
Note:
*
typ is a reference value at V
CC
= 5.0, Ta = 25
°
C.
Figure 1 Read Cycle
No. 5129-7/14
LE28C1001M, T-90/12/15
Parameter
Symbol
min
typ
*
max
Unit
Write cycle time (erase and program)
t
WC
t
AS
t
AH
t
CS
t
CH
t
OES
t
OEH
t
CP
t
WP
t
DS
t
DH
t
BLC
t
BLCO
5
10
ms
Address setup time
0
ns
Address hold time
50
ns
CE setup time
0
ns
CE hold time
0
ns
OE setup time
0
ns
OE hold time
0
ns
CE pulse width
70
ns
WE pulse width
70
ns
Data setup time
45
ns
Data hold time
0
ns
Byte load cycle time
0.05
100
μs
Byte load timeout time
200
μs
LE28C1001M, T
Parameter
Symbol
-90
-12
-15
Unit
min
max
min
max
min
max
Read cycle time
t
RC
t
CE
t
AA
t
OE
t
CLZ
t
OLZ
t
CHZ
t
OHZ
t
OH
90
120
150
ns
CE access time
90
120
150
ns
Address access time
90
120
150
ns
OE access time
50
60
70
ns
Output low-impedance time from CE
0
0
0
ns
Output low-impedance time from OE
0
0
0
ns
Output high-impedance time from CE
40
40
40
ns
Output high-impedance time from OE
40
40
40
ns
Output valid time from address input
0
0
0
ns
A05761
相關(guān)PDF資料
PDF描述
LE28CV1001T-12 5015 RR 26#16 SKT RECP
LE28CV1001T-15 5015 RR 5#12 PIN RECP
LE28CV1001T 1MEG (131072 words x 8 bits) Flash Memory
LE28DW1621T-80T 16 Megabit FlashBank Memory
LE28DW1621T 16 Megabit FlashBank Memory
相關(guān)代理商/技術(shù)參數(shù)
參數(shù)描述
LE28C1001T-90 制造商:SANYO 制造商全稱:Sanyo Semicon Device 功能描述:1MEG (131072 words x 8 bits) Flash Memory
LE28CV1001AM 制造商:未知廠家 制造商全稱:未知廠家 功能描述:
LE28CV1001AM-12 制造商:未知廠家 制造商全稱:未知廠家 功能描述:
LE28CV1001AM-15 制造商:未知廠家 制造商全稱:未知廠家 功能描述:
LE28CV1001AT 制造商:未知廠家 制造商全稱:未知廠家 功能描述:
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