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參數資料
| 型號： | KM48L16031BT-G(L)0 |
| 廠商： | SAMSUNG SEMICONDUCTOR CO. LTD. |
| 英文描述： | DDR SDRAM Specification Version 1.0 |
| 中文描述： | DDR SDRAM的規(guī)范版本1.0 |
| 文件頁數： | 24/53頁 |
| 文件大?。?/td> | 669K |
| 代理商： | KM48L16031BT-G(L)0 |
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REV. 1.0 November. 2. 2000
128Mb DDR SDRAM
3.3.6 Write Interrupted by a Write
A Burst Write can be interrupted before completion of the burst by a new Write command, with the only restric-
tion that the interval that separates the commands must be at least one clock cycle. When the previous burst
is interrupted, the remaining addresses are overridden by the new address and data will be written into the
device until the programmed burst length is satisfied.
Command
< Burst Length=4 >
NOP
WRITE A
WRITE b
NOP
NOP
NOP
NOP
NOP
NOP
DQS
DQ
′
s
Din A
0
Din A
1
Din B
0
Din B
1
Din B
2
Din B
3
1t
CK
2
0
1
5
3
4
8
6
7
CK
CK
Figure 14. Write interrupted by a write timing
相關PDF資料 |
PDF描述 |
|---|---|
| KM416L8031BT-G(L)0 | DDR SDRAM Specification Version 1.0 |
| KM44L32031BT-G(L)Y | DDR SDRAM Specification Version 1.0 |
| KM48S2020C | 1M x 8Bit x 2 Banks Synchronous DRAM(1M x 8位 x 2組同步動態(tài)RAM) |
| KM48S8020B | 4M x 8Bit x 2 Banks Synchronous DRAM(4M x 8位 x 2組同步動態(tài)RAM) |
| KM48S8030D | 64Mbit SDRAM 2M x 8Bit x 4 Banks Synchronous DRAM LVTTL |
相關代理商/技術參數 |
參數描述 |
|---|---|
| KM48L16031BT-GLZ/Y/0 | 制造商:SAMSUNG 制造商全稱:Samsung semiconductor 功能描述:DDR SDRAM Specification Version 1.0 |
| KM48S16030 | 制造商:SAMSUNG 制造商全稱:Samsung semiconductor 功能描述:4M x 8Bit x 4 Banks Synchronous DRAM |
| KM48S16030A | 制造商:SAMSUNG 制造商全稱:Samsung semiconductor 功能描述:128Mbit SDRAM 4M x 8Bit x 4 Banks Synchronous DRAM LVTTL |
| KM48S16030AT-G/F10 | 制造商:SAMSUNG 制造商全稱:Samsung semiconductor 功能描述:128Mbit SDRAM 4M x 8Bit x 4 Banks Synchronous DRAM LVTTL |
| KM48S16030AT-G/F8 | 制造商:SAMSUNG 制造商全稱:Samsung semiconductor 功能描述:128Mbit SDRAM 4M x 8Bit x 4 Banks Synchronous DRAM LVTTL |
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