參數(shù)資料
型號(hào)： KM418RD16D
廠商： SAMSUNG SEMICONDUCTOR CO. LTD.
英文描述： 2.49 K OHM 1% 1/4 W AXIAL LEADED MF RES
中文描述： 128/144Mbit RDRAM的256 × 16/18位× 2 * 16屬銀行直接RDRAMTM
文件頁數(shù)： 64/64頁
文件大小： 4052K
代理商： KM418RD16D
Page 61
KM416RD8AC(D)/KM418RD8AC(D)
Direct RDRAM
Rev. 1.01 Oct. 1999
Table Of Contents
Overview . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 1
Features. . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 1
Key Timing Parameters/Part Numbers . . . . . . . . . . . 1
Pinouts and Definitions . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 2
Pin Description. . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 3
Block Diagram . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 4
General Description . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 5
Packet Format . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . .6-7
Field Encoding Summary. . . . . . . . . . . . . . . . . . . . .8-9
DQ Packet Timing . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 10
COLM Packet to D Packet Mapping . . . . . . . . . .10-11
ROW-to-ROW Packet Interaction . . . . . . . . . . . .12-13
ROW-to-COL Packet Interaction . . . . . . . . . . . . . . . 13
COL-to-COL Packet Interaction. . . . . . . . . . . . . . . . 14
COL-to-ROW Packet Interaction . . . . . . . . . . . . . . . 15
ROW-to-ROW Examples . . . . . . . . . . . . . . . . . . .16-17
Row and Column Cycle Description . . . . . . . . . . . . 17
Precharge Mechanisms . . . . . . . . . . . . . . . . . . . .18-19
Read Transaction - Example . . . . . . . . . . . . . . . . . . 20
Write Transaction - Example . . . . . . . . . . . . . . . . . . 21
Write/Retire - Examples. . . . . . . . . . . . . . . . . . . 22-23
Interleaved Write - Example. . . . . . . . . . . . . . . . . . . 24
Interleaved Read - Example . . . . . . . . . . . . . . . .24-25
Interleaved RRWW . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . .24-25
Control Register Transactions . . . . . . . . . . . . . . . . . 26
Control Register Packets . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 27
Initialization . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . .28-30
Control Register Summary. . . . . . . . . . . . . . . . . 30-37
Power State Management . . . . . . . . . . . . . . . . . 38-41
Refresh . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 42
Current and Temperature Control . . . . . . . . . . . . . . 43
Electrical Conditions . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 44
Timing Conditions . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . .44-45
Electrical Characteristics . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 46
Timing Characteristics . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 46
RSL Clocking . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 47
RSL - Receive Timing . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 48
RSL - Transmit Timing. . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 49
CMOS - Receive Timing . . . . . . . . . . . . . . . . . . .50-51
CMOS - Transmit Timing . . . . . . . . . . . . . . . . . . .52-53
RSL - Domain Crossing Window . . . . . . . . . . . . . . . 53
Timing Parameters. . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 54
Absolute Maximum Ratings . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 55
IDD - Supply Current Profile . . . . . . . . . . . . . . . . . . 55
Capacitance and Inductance . . . . . . . . . . . . . . . .56-57
Center-Bonded uBGA Package. . . . . . . . . . . . . . . . 58
Glossary of Terms . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . .59-60
Copyright October 1999 Samsung Electronics.
All rights reserved.
Direct Rambus and Direct RDRAM are trademarks of
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PDF描述
KM418RD2AC 24.9K 1% 1/4W -200 TO +500 PPM/C MF
KM416RD4AC 128/144Mbit RDRAM 256K x 16/18 bit x 2*16 Dependent Banks Direct RDRAMTM
KM416RD4AD 128/144Mbit RDRAM 256K x 16/18 bit x 2*16 Dependent Banks Direct RDRAMTM
KM416S1020C 512K x 16Bit x 2 Banks Synchronous DRAM(512K x 16位 x 2組同步動(dòng)態(tài)RAM)
KM416S1021C 512K x 16Bit x 2 Banks Synchronous DRAM with SSTL interfacer(512K x 16位 x 2組同步動(dòng)態(tài)RAM（帶SSTL接口）)
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參數(shù)描述
KM418RD2AC 制造商:SAMSUNG 制造商全稱:Samsung semiconductor 功能描述:128/144Mbit RDRAM 256K x 16/18 bit x 2*16 Dependent Banks Direct RDRAMTM
KM418RD2AD 制造商:SAMSUNG 制造商全稱:Samsung semiconductor 功能描述:128/144Mbit RDRAM 256K x 16/18 bit x 2*16 Dependent Banks Direct RDRAMTM
KM418RD2C 制造商:SAMSUNG 制造商全稱:Samsung semiconductor 功能描述:128/144Mbit RDRAM 256K x 16/18 bit x 2*16 Dependent Banks Direct RDRAMTM
KM418RD2D 制造商:SAMSUNG 制造商全稱:Samsung semiconductor 功能描述:128/144Mbit RDRAM 256K x 16/18 bit x 2*16 Dependent Banks Direct RDRAMTM
KM418RD32AC 制造商:SAMSUNG 制造商全稱:Samsung semiconductor 功能描述:128/144Mbit RDRAM 256K x 16/18 bit x 2*16 Dependent Banks Direct RDRAMTM
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