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參數(shù)資料
| 型號： | KM416C4004C |
| 廠商： | SAMSUNG SEMICONDUCTOR CO. LTD. |
| 英文描述： | 4M x 16bit CMOS Dynamic RAM with Extended Data Out |
| 中文描述： | 4米× 16位的CMOS動態(tài)隨機存儲器的擴展數(shù)據(jù)輸出 |
| 文件頁數(shù)： | 2/36頁 |
| 文件大小： | 946K |
| 代理商： | KM416C4004C |
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KM416C4004C,
KM416C4104C
CMOS DRAM
V
CC
DQ0
DQ1
DQ2
DQ3
V
CC
DQ4
DQ5
DQ6
DQ7
N.C
V
CC
W
RAS
N.C
N.C
N.C
N.C
A0
A1
A2
A3
A4
A5
V
CC
V
SS
DQ15
DQ14
DQ13
DQ12
V
SS
DQ11
DQ10
DQ9
DQ8
N.C
V
SS
LCAS
UCAS
OE
N.C
N.C
A12(N.C)*
A11
A10
A9
A8
A7
A6
V
SS
1
2
3
4
5
6
7
8
9
10
11
12
13
14
15
16
17
18
19
20
21
22
23
24
25
50
49
48
47
46
45
44
43
42
41
40
39
38
37
36
35
34
33
32
31
30
29
28
27
26
PIN CONFIGURATION
(Top Views)
Pin Name
Pin function
A0 - A12
Address Inputs(8K Product)
A0 - A11
Address Inputs(4K Product)
DQ0 - 15
Data In/Out
V
SS
Ground
RAS
Row Address Strobe
UCAS
Upper Column Address Strobe
LCAS
Lower Column Address Strobe
W
Read/Write Input
OE
Data Output Enable
V
CC
Power(+5.0V)
N.C
No Connection
(400mil TSOP(II))
*(N.C) : N.C for 4K Refresh Product
KM416C40(1)04CS
相關PDF資料 |
PDF描述 |
|---|---|
| KM416C4104C | 4M x 16bit CMOS Dynamic RAM with Extended Data Out |
| KM416C4100B | 4M x 16bit CMOS Dynamic RAM with Fast Page Mode |
| KM416RD16AC | CAP ELECT 330UF 100V TG SMD |
| KM418RD2AD | 128/144Mbit RDRAM 256K x 16/18 bit x 2*16 Dependent Banks Direct RDRAMTM |
| KM418RD2C | 128/144Mbit RDRAM 256K x 16/18 bit x 2*16 Dependent Banks Direct RDRAMTM |
相關代理商/技術(shù)參數(shù) |
參數(shù)描述 |
|---|---|
| KM416C4100B | 制造商:SAMSUNG 制造商全稱:Samsung semiconductor 功能描述:4M x 16bit CMOS Dynamic RAM with Fast Page Mode |
| KM416C4100BS-6 | 制造商:Samsung Semiconductor 功能描述: 制造商:Samsung Electro-Mechanics 功能描述:4M X 16 FAST PAGE DRAM, 60 ns, 50 Pin Plastic SMT |
| KM416C4100C | 制造商:SAMSUNG 制造商全稱:Samsung semiconductor 功能描述:4M x 16bit CMOS Dynamic RAM with Fast Page Mode |
| KM416C4104C | 制造商:SAMSUNG 制造商全稱:Samsung semiconductor 功能描述:4M x 16bit CMOS Dynamic RAM with Extended Data Out |
| KM4-16L-10PN | 制造商:Amphenol Corporation 功能描述:KM AUSTRALIAN PRODUCT - Bulk |
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