參數(shù)資料
型號： KBU8J
元件分類： 參考電壓二極管
英文描述： SINGLE-PHASE SILICON BRIDGE
中文描述： 單相硅橋
文件頁數(shù)： 2/2頁
文件大小： 83K
代理商： KBU8J
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RATINGS AND CHARACTERISTICS CURVES KBU8A THRU KBU8M
FIG. 1 - DERATING CURVE OUTPUT RECTIFIED
CURRENT
TEMPERATURE, °C
P.C.B. MOUNTING, TA
0.375” (9.5mm) LEAD LENGTH
0.5 x 0.5” (12 x 12mm) COPPER PADS
PERCENT OF RATED PEAK REVERSE
VOLTAGE, %
INSTANTANEOUS FORWARD VOLTAGE,
VOLTS
INSTANTANEOUS
REVERSE
CURRENT,
MICROAMPERES
TJ=25°C
PULSE WIDTH=300
s
1% DUTY CYCLE
FIG. 4 - TYPICAL REVERSE LEAKAGE
CHARACTERISTICS PER LEG
INSTANTANEOUS
FORWARD
CURRENT,
AMPERES
FIG. 5 - TYPICAL JUNCTION CAPACITANCE
PER LEG
REVERSE VOLTAGE, VOLTS
TJ=25
°C
f=1.0 MHz
Vsig=50mVp-p
TJ=100°C
HEAT-SINK MOUNTING,TC
3.0 x 3.0 x 12”THK AL. PLATE
(7.5 x 0.3cm)
AVERAGE
FORWARD
CURRENT,
AMPERES
FIG. 3 - TYPICAL INSTANTANEOUS FORWARD
CHARACTERISTICS PER LEG
SINGLE SINE-WAVE
(JEDEC Method)
TJ=150°C
NUMBER OF CYCLES AT 60 HZ
PEAK
FORWARD
SURGE
CURRENT,
AMPERES
FIG. 2 - MAXIMUM NON-REPETITIVE PEAK
FORWARD SURGE CURRENT
TJ=25°C
60 HZ RESISTIVE OR INDUCTIVE LOAD
1.0 CYCLE
JUNCTION
CAPACITANCE,
pF
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PDF描述
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KBU8D SINGLE-PHASE SILICON BRIDGE
KBU8A SINGLE-PHASE SILICON BRIDGE
KBU6J SINGLE-PHASE SILICON BRIDGE
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參數(shù)描述
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KBU8J_Q 功能描述:橋式整流器 8A Bridge Rectifier RoHS:否 制造商:Vishay 產(chǎn)品:Single Phase Bridge 峰值反向電壓:1000 V 最大 RMS 反向電壓: 正向連續(xù)電流:4.5 A 最大浪涌電流:450 A 正向電壓下降:1 V 最大反向漏泄電流:10 uA 功率耗散: 最大工作溫度:+ 150 C 長度:30.3 mm 寬度:4.1 mm 高度:20.3 mm 安裝風格:Through Hole 封裝 / 箱體:SIP-4 封裝:Tube
KBU8J-E4/1 制造商:Vishay Semiconductors 功能描述:Diode
KBU8J-E4/51 功能描述:橋式整流器 8.0 Amp 600 Volt RoHS:否 制造商:Vishay 產(chǎn)品:Single Phase Bridge 峰值反向電壓:1000 V 最大 RMS 反向電壓: 正向連續(xù)電流:4.5 A 最大浪涌電流:450 A 正向電壓下降:1 V 最大反向漏泄電流:10 uA 功率耗散: 最大工作溫度:+ 150 C 長度:30.3 mm 寬度:4.1 mm 高度:20.3 mm 安裝風格:Through Hole 封裝 / 箱體:SIP-4 封裝:Tube
KBU8J-E4/51 制造商:Vishay Semiconductors 功能描述:BRIDGE RECTIFIER 1PH 8A 600V THD 制造商:Vishay Semiconductors 功能描述:BRIDGE RECTIFIER, 1PH, 8A, 600V THD
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