參數(shù)資料
型號: K9F2G08U0M
廠商: SAMSUNG SEMICONDUCTOR CO. LTD.
英文描述: Connector; Leaded Process Compatible:Yes RoHS Compliant: Yes
中文描述: 閃存
文件頁數(shù): 17/38頁
文件大?。?/td> 601K
代理商: K9F2G08U0M
FLASH MEMORY
17
Preliminary
K9F2G08Q0M K9F2G16Q0M
K9F2G08U0M K9F2G16U0M
K9F2G16X0M : I/O
8
~
15 must be set to "0"
K9F2G16X0M : I/O
8
~
15 must be set to "0"
Command Latch Cycle
CE
WE
CLE
ALE
Command
Address Latch Cycle
t
CLS
t
CS
t
CLH
t
CH
t
WP
t
ALS
t
ALH
t
DS
t
DH
NOTE
Device
I/O
DATA
ADDRESS
I/Ox
Data In/Out
Col. Add1
Col. Add2
Row Add1
Row Add2
Row Add3
K9F2G08X0M(X8)
I/O 0 ~ I/O 7
~2112byte
A0~A7
A8~A11
A12~A19
A20~A27
A28
K9F2G16X0M(X16)
I/O 0 ~ I/O 15
~1056word
A0~A7
A8~A10
A11~A18
A19~A26
A27
I/Ox
CE
WE
CLE
ALE
Col. Add1
t
CS
t
WC
t
WP
t
ALS
t
DS
t
DH
t
ALH
t
ALS
t
WH
t
WC
t
WP
t
DS
t
DH
t
ALH
t
ALS
t
WH
t
WC
t
WP
t
DS
t
DH
t
ALH
t
ALS
t
WH
t
DS
t
DH
t
WP
I/Ox
Col. Add2
Row Add1
Row Add2
t
WC
t
WH
t
ALH
t
ALS
t
DS
t
DH
Row Add3
t
ALH
t
CLS
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K9F2G08Q0M FLASH MEMORY
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