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參數(shù)資料
| 型號： | K4T1G164QM-ZCD5 |
| 廠商： | SAMSUNG SEMICONDUCTOR CO. LTD. |
| 英文描述： | 1Gb M-die DDR2 SDRAM Specification |
| 中文描述： | 1Gb的的M -模DDR2 SDRAM的規(guī)格 |
| 文件頁數(shù)： | 10/28頁 |
| 文件大小： | 612K |
| 代理商： | K4T1G164QM-ZCD5 |
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Rev. 1.1 Aug. 2005
DDR2 SDRAM
1G A-die DDR2 SDRAM
1Gb Addressing
* Reference information: The following tables are address mapping information for other densities.
256Mb
512Mb
2Gb
4Gb
Configuration
256Mb x4
128Mb x 8
64Mb x16
# of Bank
8
8
8
Bank Address
BA0 ~ BA2
BA0 ~ BA2
BA0 ~ BA2
Auto precharge
A
10
/AP
A
10
/AP
A
10
/AP
Row Address
A
0
~ A
13
A
0
~ A
13
A
0
~ A
12
Column Address
A
0
~ A
9,
A
11
A
0
~ A
9
A
0
~ A
9
Configuration
64Mb x4
32Mb x 8
16Mb x16
# of Bank
4
4
4
Bank Address
BA0,BA1
BA0,BA1
BA0,BA1
Auto precharge
A
10
/AP
A
10
/AP
A
10
/AP
Row Address
A
0
~ A
12
A
0
~ A
12
A
0
~ A
12
Column Address
A
0
~ A
9,
A
11
A
0
~ A
9
A
0
~ A
8
Configuration
128Mb x4
64Mb x 8
32Mb x16
# of Bank
4
4
4
Bank Address
BA0,BA1
BA0,BA1
BA0,BA1
Auto precharge
A10/AP
A10/AP
A10/AP
Row Address
A0 ~ A13
A0 ~ A13
A0 ~ A12
Column Address
A0 ~ A9,A11
A0 ~ A9
A0 ~ A9
Configuration
512Mb x4
256Mb x 8
128Mb x16
# of Bank
8
8
8
Bank Address
BA0 ~ BA2
BA0 ~ BA2
BA0 ~ BA2
Auto precharge
A10/AP
A10/AP
A10/AP
Row Address
A0 ~ A14
A0 ~ A14
A0 ~ A13
Column Address
A0 ~ A9,A11
A0 ~ A9
A0 ~ A9
Configuration
1 Gb x4
512Mb x 8
256Mb x16
# of Bank
8
8
8
Bank Address
BA0 ~ BA2
BA0 ~ BA2
BA0 ~ BA2
Auto precharge
A10/AP
A10/AP
A10/AP
Row Address
A0 - A15
A0 - A15
A0 - A14
Column Address/page size
A0 - A9,A11
A0 - A9
A0 - A9
相關(guān)PDF資料 |
PDF描述 |
|---|---|
| K4T51043QC-ZLCC | DIN Audio Connector; No. of Contacts:8; Contact Termination:Solder; Gender:Male RoHS Compliant: Yes |
| K4T51043QC-ZCLCC | 512Mb C-die DDR2 SDRAM |
| K4T51043QC-ZCLD5 | 512Mb C-die DDR2 SDRAM |
| K4T51043QC-ZCLD6 | CAP 33PF 3000V 5% NP0(C0G) SMD-1808 TR-7 PLATED-NI/SN |
| K4T51043QC-ZCE6 | 512Mb C-die DDR2 SDRAM |
相關(guān)代理商/技術(shù)參數(shù) |
參數(shù)描述 |
|---|---|
| K4T1G164QQ | 制造商:SAMSUNG 制造商全稱:Samsung semiconductor 功能描述:1Gb Q-die DDR2 SDRAM Specification |
| K4T1G164QQ-HC(L)E6 | 制造商:SAMSUNG 制造商全稱:Samsung semiconductor 功能描述:1Gb Q-die DDR2 SDRAM Specification |
| K4T1G164QQ-HC(L)E7 | 制造商:SAMSUNG 制造商全稱:Samsung semiconductor 功能描述:1Gb Q-die DDR2 SDRAM Specification |
| K4T1G164QQ-HC(L)F7 | 制造商:SAMSUNG 制造商全稱:Samsung semiconductor 功能描述:1Gb Q-die DDR2 SDRAM Specification |
| K4T1G164QQ-HCE6000 | 制造商:Samsung SDI 功能描述:DRAM Chip DDR2 SDRAM 1G-Bit 64Mx16 1.8V 84-Pin FBGA Tray |
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