參數(shù)資料
型號(hào)： K4S281632E-TC60
廠商： SAMSUNG SEMICONDUCTOR CO. LTD.
英文描述： 128Mb E-die SDRAM Specification
中文描述： 128Mb的電子芯片內(nèi)存規(guī)格
文件頁(yè)數(shù)： 13/14頁(yè)
文件大?。?/td> 145K
代理商： K4S281632E-TC60
SDRAM 128Mb E-die (x4, x8, x16)
CMOS SDRAM
Rev. 1.4 February. 2004
V
DD
Clamp @ CLK, CKE, CS, DQM & DQ
V
DD
(V)
0.0
0.2
0.4
0.6
0.7
0.8
0.9
1.0
1.2
1.4
1.6
1.8
2.0
2.2
2.4
2.6
I (mA)
0.0
0.0
0.0
0.0
0.0
0.0
0.0
0.23
1.34
3.02
5.06
7.35
9.83
12.48
15.30
18.31
V
SS
Clamp @ CLK, CKE, CS, DQM & DQ
V
SS
(V)
-2.6
-2.4
-2.2
-2.0
-1.8
-1.6
-1.4
-1.2
-1.0
-0.9
-0.8
-0.7
-0.6
-0.4
-0.2
0.0
I (mA)
-57.23
-45.77
-38.26
-31.22
-24.58
-18.37
-12.56
-7.57
-3.37
-1.75
-0.58
-0.05
0.0
0.0
0.0
0.0
20
15
10
5
0
0
3
1
2
Voltage
m
I (mA)
m
I (mA)
Minimum V
DD
clamp current
(Referenced to V
DD
)
Minimum V
SS
clamp current
0
-10
-20
-30
-40
-3
0
-2
-1
-50
-60
Voltage
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PDF描述
K4S281632E-TC75 128Mb E-die SDRAM Specification
K4S281632E-TL60 128Mb E-die SDRAM Specification
K4S281632E-TL75 128Mb E-die SDRAM Specification
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K4S281632F-TL75 128Mb F-die SDRAM Specification
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參數(shù)描述
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K4S281632E-TL60 制造商:SAMSUNG 制造商全稱(chēng):Samsung semiconductor 功能描述:128Mb E-die SDRAM Specification
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