參數(shù)資料
型號(hào): K2200G
英文描述: silicon bilateral voltage triggered switch
中文描述: 硅雙邊電壓觸發(fā)開關(guān)
文件頁數(shù): 3/6頁
文件大?。?/td> 269K
代理商: K2200G
SIDAC
Teccor Electronics
(972) 580-7777
9-3
SIDAC
V-I Characteristics
Figure 9.1
Peak Surge Current vs Surge Current Duration
I
H
V
TM
Peak
On-State
Voltage
I
T
= 1 Amp
I
TSM
Peak One
Cycle Surge
Current
50/60Hz Sine Wave
(Non-Repetitive)
(5)
R
S
dV
q
/dt
dv/dt
di/dt
Dynamic
Holding Current
50/60Hz
Sine Wave
R = 100
(3) (4)
mAmps
Volts
Max
Package
G
1.5
1.5
1.5
1.5
1.5
1.5
1.5
1.5
1.5
Amps
Switching
Resistance
50/60Hz Sine Wave
(9)
k
MIN
0.1
0.1
0.1
0.1
0.1
0.1
0.1
0.1
0.1
2.0
0.1
0.1
Critical
Rate-of-Rise
of Turn-off
Voltage at
8kHz
Volts/
μ
Sec
MIN
20
20
20
20
20
20
20
20
20
42
20
20
Critical
Rate-of-Rise
of Off-State
Voltage at
Rated V
DRM
T
J
100°C
Volts/
μ
Sec
MIN
1500
1500
1500
1500
1500
1500
1500
1500
1500
1500
1500
1500
Critical
Rate-of-Rise
of On-State
Current
Amps/
μ
Sec
TYP
150
150
150
150
150
150
150
150
150
150
150
150
60Hz
50Hz
TYP
60
60
60
60
60
60
60
60
60
60
60
60
MAX
150
150
150
150
150
150
150
150
150
150
150
150
E
F
S
1.5
1.5
1.5
1.5
1.5
1.5
1.5
1.5
1.5
1.5
1.5
1.5
1.5
1.5
1.5
1.5
1.5
1.5
20
20
20
20
20
20
20
20
20
20
20
20
16.7
16.7
16.7
16.7
16.7
16.7
16.7
16.7
16.7
16.7
16.7
16.7
3.0
3.0
3.0
3.0
3.0
3.0
1.5
1.5
1.5
RS
VS
--IS
)
IBO
)
=
THERMAL RESISTANCE (STEADY STATE)
R
θ
JC
[R
θ
JA
] °C/W (TYPICAL)
E
G
F (6)
7 [45]
S
35 [95]
18 [75]
30 [85]
1.0
10
100
1000
1.0
2.0
4.0
6.0
8.0
10
20
40
SUPPLY FREQUENCY: 60 Hz Sinusoidal
BLOCKING CAPABILITY MAY BE LOST
DURING AND IMMEDIATELY
FOLLOWING SURGE CURRENT
INTERVAL
OVERLOAD MAY NOT BE REPEATED
UNTIL JUNCTION TEMPERATURE
HAS RETURNED TO STEADY-STATE
RATED VALUE.
Surge Current Duration - Full Cycles
P
O
100
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PDF描述
K2200S silicon bilateral voltage triggered switch
KBU4D SINGLE-PHASE SILICON BRIDGE
KBL10 Single-Phase Bridge Rectifier
KBP04M Glass Passivated Single-Phase Bridge Rectifier
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