型號: | K2000E70RP2 |
元件分類: | 晶閘管 |
英文描述: | 215 V, SIDAC, TO-92 |
封裝: | ROHS COMPLIANT, PLASTIC, TO-92, 3 PIN |
文件頁數(shù): | 11/12頁 |
文件大小: | 345K |
代理商: | K2000E70RP2 |
相關(guān)PDF資料 |
PDF描述 |
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K2000E70RP3 | 215 V, SIDAC, TO-92 |
K2002GRP | 215 V, SIDAC, DO-15 |
K2002G | 215 V, SIDAC, DO-15 |
K30-2CW-SEFREQ | CRYSTAL OSCILLATOR, CLOCK, 1.8 MHz - 67 MHz, CMOS OUTPUT |
K30-3C1E16MR | CRYSTAL OSCILLATOR, CLOCK, 16 MHz, CMOS OUTPUT |
相關(guān)代理商/技術(shù)參數(shù) |
參數(shù)描述 |
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K2000E70RP3 | 功能描述:SIDAC 200V 1A TO-92 RoHS:否 類別:分離式半導(dǎo)體產(chǎn)品 >> 二端交流開關(guān)元件,硅對稱二端開關(guān)元件 系列:- 產(chǎn)品變化通告:Product Obsolescence 14/Apr/2010 標準包裝:5,000 系列:- 電流 - 峰值輸出:900mA 電壓 - 擊穿:150 ~ 170V 電流 - 維持(Ih):100mA 電流 - 擊穿:200µA 封裝/外殼:DO-204AL,DO-41,軸向 供應(yīng)商設(shè)備封裝:軸向 包裝:帶卷 (TR) |
K2000EH70 | 功能描述:硅對稱二端開關(guān)元件 Sidac 200V HI ENERGY RoHS:否 制造商:Bourns 轉(zhuǎn)折電流 VBO:40 V 最大轉(zhuǎn)折電流 IBO:800 mA 不重復(fù)通態(tài)電流: 額定重復(fù)關(guān)閉狀態(tài)電壓 VDRM:25 V 關(guān)閉狀態(tài)漏泄電流(在 VDRM IDRM 下): 保持電流(Ih 最大值):50 mA 開啟狀態(tài)電壓:5 V 關(guān)閉狀態(tài)電容 CO:120 pF 最大工作溫度:+ 150 C 安裝風格:SMD/SMT 封裝 / 箱體:DO-214AA |
K2000EH70AP | 功能描述:硅對稱二端開關(guān)元件 Sidac 200V HI ENERGY RoHS:否 制造商:Bourns 轉(zhuǎn)折電流 VBO:40 V 最大轉(zhuǎn)折電流 IBO:800 mA 不重復(fù)通態(tài)電流: 額定重復(fù)關(guān)閉狀態(tài)電壓 VDRM:25 V 關(guān)閉狀態(tài)漏泄電流(在 VDRM IDRM 下): 保持電流(Ih 最大值):50 mA 開啟狀態(tài)電壓:5 V 關(guān)閉狀態(tài)電容 CO:120 pF 最大工作溫度:+ 150 C 安裝風格:SMD/SMT 封裝 / 箱體:DO-214AA |
K2000EH70RP2 | 功能描述:硅對稱二端開關(guān)元件 Sidac 200V HI ENERGY RoHS:否 制造商:Bourns 轉(zhuǎn)折電流 VBO:40 V 最大轉(zhuǎn)折電流 IBO:800 mA 不重復(fù)通態(tài)電流: 額定重復(fù)關(guān)閉狀態(tài)電壓 VDRM:25 V 關(guān)閉狀態(tài)漏泄電流(在 VDRM IDRM 下): 保持電流(Ih 最大值):50 mA 開啟狀態(tài)電壓:5 V 關(guān)閉狀態(tài)電容 CO:120 pF 最大工作溫度:+ 150 C 安裝風格:SMD/SMT 封裝 / 箱體:DO-214AA |
K2000EH70RP3 | 功能描述:硅對稱二端開關(guān)元件 Sidac 200V HI ENERGY RoHS:否 制造商:Bourns 轉(zhuǎn)折電流 VBO:40 V 最大轉(zhuǎn)折電流 IBO:800 mA 不重復(fù)通態(tài)電流: 額定重復(fù)關(guān)閉狀態(tài)電壓 VDRM:25 V 關(guān)閉狀態(tài)漏泄電流(在 VDRM IDRM 下): 保持電流(Ih 最大值):50 mA 開啟狀態(tài)電壓:5 V 關(guān)閉狀態(tài)電容 CO:120 pF 最大工作溫度:+ 150 C 安裝風格:SMD/SMT 封裝 / 箱體:DO-214AA |