- 您現(xiàn)在的位置：買賣IC網(wǎng) > PDF目錄299237 > JANTXV2N5660 TRANSISTOR | BJT | NPN | 200V V(BR)CEO | 1A I(C) | TO-66 PDF資料下載
參數(shù)資料
| 型號： | JANTXV2N5660 |
| 英文描述： | TRANSISTOR | BJT | NPN | 200V V(BR)CEO | 1A I(C) | TO-66 |
| 中文描述： | 晶體管|晶體管| npn型| 200伏五（巴西）總裁| 1A條一（c）|至66 |
| 文件頁數(shù)： | 9/21頁 |
| 文件大?。?/td> | 137K |
| 代理商： | JANTXV2N5660 |
MIL-PRF-19500/368F
17
NOTES:
1.
The rise time (tr) and fall time (tf) of applied pulse shall be ≤ 20 ns, duty cycle ≤ 2 percent,
generator source impedance shall be 50 ohms, pulse width = 20
s.
2.
Output sampling oscilloscope: ZIN ≥ 100 k, CIN ≤ 50 pF, and rise time ≤ 1.0 s.
FIGURE 5. Pulse response test circuit.
相關PDF資料 |
PDF描述 |
|---|---|
| JANTXV2N5661 | TRANSISTOR | BJT | NPN | 300V V(BR)CEO | 1A I(C) | TO-66 |
| JANTXV2N5662 | TRANSISTOR | BJT | NPN | 200V V(BR)CEO | 1A I(C) | TO-5 |
| JANTXV2N5663 | TRANSISTOR | BJT | NPN | 300V V(BR)CEO | 1A I(C) | TO-5 |
| JANTXV2N5679 | TRANSISTOR | BJT | PNP | 100V V(BR)CEO | 1A I(C) | TO-5 |
| JANTXV2N5680 | TRANSISTOR | BJT | PNP | 120V V(BR)CEO | 1A I(C) | TO-5 |
相關代理商/技術參數(shù) |
參數(shù)描述 |
|---|---|
| JANTXV2N5661 | 制造商:Microsemi Corporation 功能描述:Trans GP BJT NPN 300V 2A 3-Pin(2+Tab) TO-66 制造商:Microsemi Corporation 功能描述:TRANS GP BJT NPN 300V 2A 3PIN TO-66 - Bulk |
| JANTXV2N5661U3 | 制造商:Microsemi Corporation 功能描述:2N5661U3JANTXV - Bulk |
| JANTXV2N5662 | 制造商:Microsemi Corporation 功能描述:TRANS GP BJT NPN 200V 2A 3PIN TO-5 - Bulk |
| JANTXV2N5663 | 制造商:Microsemi Corporation 功能描述:TRANS GP BJT NPN 300V 2A 3PIN TO-5 - Bulk |
| JANTXV2N5663U3 | 制造商:Microsemi Corporation 功能描述:NPN TRANSISTOR - Bulk |
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