參數(shù)資料
型號： JANSF2N7262
英文描述： 200V 300kRad Hi-Rel Single N-Channel TID Hardened MOSFET in a TO-205AF package
中文描述： 200伏300kRad高可靠性單N溝道MOSFET的工貿(mào)硬化在TO - 205AF包
文件頁數(shù)： 8/12頁
文件大小： 440K
代理商： JANSF2N7262
www.irf.com
5
Pre-Irradiation
IRHF7130
Post-Irradiation
Fig 6.
Fig 6. Typical On-State Resistance Vs.
NeutronFluenceLevel
Fig 5.
Fig 5. Typical Zero Gate Voltage Drain
Current Vs. Total Dose Exposure
Fig 7.
Fig 7. Typical Transient Response
of Rad Hard HEXFET During 1x1012
Rad (Si)/Sec Exposure
Fig 8b.
Fig 8b. VDSS Stress Equals
80% of BVDSS During Radiation
Fig 8a.
Fig 8a. Gate Stress of
VGSS Equals 12 Volts During
Radiation
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PDF描述
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