參數(shù)資料
型號(hào): JANS2N6193
英文描述: TRANSISTOR | BJT | PNP | 100V V(BR)CEO | 5A I(C) | TO-39
中文描述: 晶體管|晶體管|進(jìn)步黨| 100V的五(巴西)總裁| 5A條一(c)| TO - 39封裝
文件頁數(shù): 7/21頁
文件大小: 137K
代理商: JANS2N6193
MIL-PRF-19500/368F
15
* TABLE I. Group A inspection - Continued.
Inspection 1/
MIL-STD-750
Symbol
Limit
Unit
Method
Conditions
Min
Max
Subgroup 4 - Continued
Magnitude of common- emitter
small-signal short-circuit forward-
current transfer ratio
3306
VCE = 10 V dc, IC = 10 mA dc,
f = 5 MHz
|hfe|
3
15
Open capacitance input open
circuited
3236
VCB = 10 V dc, IE = 0,
100 kHz
≤ f ≤ 1 MH
Cobo
10
pF
Small-signal short- circuit forward-
current transfer ratio
3206
VCE = 10 V dc, IC = 5 mA,
f = 1 kHz
hfe
25
Input capacitance (output open
circuited)
3240
VCB = 5 V dc, IE = 0,
100 kHz
≤ f ≤ 1 MHz
Cibo
75
Subgroup 5
Safe operating area (continuous dc)
3051
(See figure 6) TC = +25°C, 1 cycle,
t = 1.0 s.
Test 1
VCE = 5 V dc, IC = 1 A dc
Test 2
Only 2N3439, 2N3439L, 2N3439UA
VCE = 350 V dc, IC = 14 mA dc
Test 3
Only 2N3440, 2N3440L, 2N3440UA
Electrical measurements
VCE = 250 V dc, IC = 20 mA dc
See table I, subgroup 2 and 4.5.3
herein.
Breakdown voltage, collector to
emitter
2N3439, 2N3439L, 2N3439UA
2N3440, 2N3440L, 2N3440UA
3011
IC = 10 mA, RBB1 = 470 ohms
VBB1 = 6 V, L = 25 mH minimum
f = 30 to 60 Hz
VBR(CEO)
350
250
V dc
1/ For sampling plan, see MIL-PRF-19500.
2/ For resubmission of failed subgroup A1, double the sample size of the failed test or sequence of tests.
3/ Separate samples may be used.
4/ Not required for JANS.
5/ Not required for laser marked devices.
相關(guān)PDF資料
PDF描述
JANS2N6849U -100V Single P-Channel Hi-Rel MOSFET in a 18-pin LCC package
JANS2N7237U -200V Single P-Channel Hi-Rel MOSFET in a SMD-1 package
JANSH2N7298 TRANSISTOR | MOSFET | N-CHANNEL | 500V V(BR)DSS | 9A I(D) | TO-254AA
JANSH2N7381 TRANSISTOR | MOSFET | N-CHANNEL | 200V V(BR)DSS | 8A I(D) | TO-257AA
JANTX(V)2N6796U
相關(guān)代理商/技術(shù)參數(shù)
參數(shù)描述
JANS2N6193U3 制造商:Microsemi Corporation 功能描述:PNP TRANSISTOR - Waffle Pack 制造商:Microsemi Corporation 功能描述:PNP TRANSISTOR - Bulk
JANS2N6249T1 功能描述:TRANS NPN 200V 10A TO-3 制造商:microsemi ire division 系列:軍用,MIL-PRF-19500/510 包裝:散裝 零件狀態(tài):在售 晶體管類型:NPN 電流 - 集電極(Ic)(最大值):10A 電壓 - 集射極擊穿(最大值):200V 不同?Ib,Ic 時(shí)的?Vce 飽和值(最大值):1.5V @ 1A,10A 電流 - 集電極截止(最大值):1mA 不同?Ic,Vce?時(shí)的 DC 電流增益(hFE)(最小值):10 @ 10A,3V 功率 - 最大值:6W 頻率 - 躍遷:- 工作溫度:-65°C ~ 200°C(TJ) 安裝類型:通孔 封裝/外殼:TO-254-3,TO-254AA(直引線) 供應(yīng)商器件封裝:TO-254AA 標(biāo)準(zhǔn)包裝:1
JANS2N6250T1 功能描述:TRANS NPN 275V 10A TO-3 制造商:microsemi ire division 系列:軍用,MIL-PRF-19500/510 包裝:散裝 零件狀態(tài):在售 晶體管類型:NPN 電流 - 集電極(Ic)(最大值):10A 電壓 - 集射極擊穿(最大值):275V 不同?Ib,Ic 時(shí)的?Vce 飽和值(最大值):1.5V @ 1.25A,10A 電流 - 集電極截止(最大值):1mA 不同?Ic,Vce?時(shí)的 DC 電流增益(hFE)(最小值):8 @ 10A,3V 功率 - 最大值:6W 頻率 - 躍遷:- 工作溫度:-65°C ~ 200°C(TJ) 安裝類型:通孔 封裝/外殼:TO-254-3,TO-254AA(直引線) 供應(yīng)商器件封裝:TO-254AA 標(biāo)準(zhǔn)包裝:1
JANS2N6251T1 功能描述:TRANS NPN 350V 10A TO-3 制造商:microsemi ire division 系列:軍用,MIL-PRF-19500/510 包裝:散裝 零件狀態(tài):在售 晶體管類型:NPN 電流 - 集電極(Ic)(最大值):10A 電壓 - 集射極擊穿(最大值):350V 不同?Ib,Ic 時(shí)的?Vce 飽和值(最大值):1.5V @ 1.67A,10A 電流 - 集電極截止(最大值):1mA 不同?Ic,Vce?時(shí)的 DC 電流增益(hFE)(最小值):6 @ 10A,3V 功率 - 最大值:6W 頻率 - 躍遷:- 工作溫度:-65°C ~ 200°C(TJ) 安裝類型:通孔 封裝/外殼:TO-254-3,TO-254AA(直引線) 供應(yīng)商器件封裝:TO-254AA 標(biāo)準(zhǔn)包裝:1
JANS2N6676 制造商:Microsemi Corporation 功能描述:NPN TRANSISTOR - Waffle Pack