型號: | JAN1N6072A |
元件分類: | TVS二極管 - 瞬態(tài)電壓抑制 |
英文描述: | 1500 W, BIDIRECTIONAL, SILICON, TVS DIODE, DO-13 |
封裝: | DO-13, 2 PIN |
文件頁數(shù): | 1/2頁 |
文件大?。?/td> | 111K |
代理商: | JAN1N6072A |
相關PDF資料 |
PDF描述 |
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JANTX1N6053A | 1500 W, BIDIRECTIONAL, SILICON, TVS DIODE, DO-13 |
JANTX1N6054A | 1500 W, BIDIRECTIONAL, SILICON, TVS DIODE, DO-13 |
JANTX1N6043 | 1500 W, BIDIRECTIONAL, SILICON, TVS DIODE |
JANTXV1N6041 | 1500 W, BIDIRECTIONAL, SILICON, TVS DIODE |
JANTXV1N6042 | 1500 W, BIDIRECTIONAL, SILICON, TVS DIODE |
相關代理商/技術參數(shù) |
參數(shù)描述 |
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JAN1N6073 | 制造商:Microsemi Corporation 功能描述:ULTRA FAST RECTIFIER (LESS THAN 100NS) - Bulk |
JAN1N6074 | 制造商:Microsemi Corporation 功能描述:ULTRA FAST RECOVERY RECTFR 100V 3A 2PIN A - Bulk |
JAN1N6075 | 制造商:Microsemi Corporation 功能描述:ULTRA FAST RECTIFIER (LESS THAN 100NS) (UFR) - Bulk |
JAN1N6076 | 功能描述:Diode Standard 50V 1.3A Through Hole E-PAK 制造商:microsemi ire division 系列:軍用,MIL-PRF-19500/503 包裝:散裝 零件狀態(tài):在售 二極管類型:標準 電壓 - DC 反向(Vr)(最大值):50V 電流 - 平均整流(Io):1.3A 不同 If 時的電壓 - 正向(Vf):1.76V @ 18.8A 速度:快速恢復 = 200mA(Io) 反向恢復時間(trr):30ns 不同?Vr 時的電流 - 反向漏電流:5μA @ 50V 不同?Vr,F(xiàn) 時的電容:- 安裝類型:通孔 封裝/外殼:E,軸向 供應商器件封裝:E-PAK 工作溫度 - 結:-65°C ~ 155°C 標準包裝:1 |
JAN1N6077 | 功能描述:Diode Standard 100V 1.3A Through Hole E-PAK 制造商:microsemi ire division 系列:軍用,MIL-PRF-19500/503 包裝:散裝 零件狀態(tài):在售 二極管類型:標準 電壓 - DC 反向(Vr)(最大值):100V 電流 - 平均整流(Io):1.3A 不同 If 時的電壓 - 正向(Vf):1.76V @ 18.8A 速度:快速恢復 = 200mA(Io) 反向恢復時間(trr):30ns 不同?Vr 時的電流 - 反向漏電流:5μA @ 100V 不同?Vr,F(xiàn) 時的電容:- 安裝類型:通孔 封裝/外殼:E,軸向 供應商器件封裝:E-PAK 工作溫度 - 結:-65°C ~ 155°C 標準包裝:1 |