參數(shù)資料
型號(hào)： IXTY2N60P
廠(chǎng)商： IXYS CORP
元件分類(lèi)： JFETs
英文描述： PolarHV Power MOSFET
中文描述： 2 A, 600 V, 5.1 ohm, N-CHANNEL, Si, POWER, MOSFET, TO-252AA
封裝： TO-252AA, 3 PIN
文件頁(yè)數(shù)： 4/4頁(yè)
文件大?。?/td> 140K
代理商： IXTY2N60P
IXYS reserves the right to change limits, test conditions, and dimensions.
IXTP 2N60P
IXTY 2N60P
Fig. 11. Capacitance
1
10
100
1000
0
5
10
15
V
D S
- Volts
20
25
30
35
40
C
Ciss
Coss
Crss
f = 1MHz
Fig. 10. Gate Charge
0
1
2
3
4
5
6
7
8
9
10
0
1
2
Q
G
- nanoCoulombs
3
4
5
6
7
V
G
V
DS
= 300V
I
D
= 1A
I
G
= 10mA
Fig. 7. Input Admittance
0
0.4
0.8
1.2
1.6
2
2.4
2.8
3.2
3.6
4
4.5
5
5.5
6
6.5
7
7.5
V
G S
- Volts
I
D
T
J
=125
o
C
25
o
C
-40
o
C
Fig. 8. Transconductance
0
0.4
0.8
1.2
1.6
2
2.4
2.8
3.2
3.6
4
0
0.4
0.8
1.2
1.6
2
2.4
2.8
3.2
I
D
- Amperes
g
f
T
J
= -40
o
C
25
o
C
125
o
C
Fig. 9. Source Current vs.
Source-To-Drain Voltage
0
1
2
3
4
5
6
7
0.4
0.5
0.6
0.7
0.8
0.9
1
V
S D
- Volts
I
S
T
J
= 125
o
C
T
J
= 25
o
C
Fig. 13. Maximum Transient Thermal
Resistance
0.1
1.0
10.0
0.1
1
10
100
1000
Pulse Width - milliseconds
R
(
o
C
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IXTY2R4N50P 功能描述:MOSFET 2.4 Amps 500 V 3.5 Ohm Rds RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶體管極性:N-Channel 汲極/源極擊穿電壓:650 V 閘/源擊穿電壓:25 V 漏極連續(xù)電流:130 A 電阻汲極/源極 RDS（導(dǎo)通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作溫度: 安裝風(fēng)格:Through Hole 封裝 / 箱體:Max247 封裝:Tube
IXTY32P05T 功能描述:MOSFET TrenchP Power MOSFET RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶體管極性:N-Channel 汲極/源極擊穿電壓:650 V 閘/源擊穿電壓:25 V 漏極連續(xù)電流:130 A 電阻汲極/源極 RDS（導(dǎo)通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作溫度: 安裝風(fēng)格:Through Hole 封裝 / 箱體:Max247 封裝:Tube
IXTY3N50P 功能描述:MOSFET 3.6 Amps 500 V 2 Ohm Rds RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶體管極性:N-Channel 汲極/源極擊穿電壓:650 V 閘/源擊穿電壓:25 V 漏極連續(xù)電流:130 A 電阻汲極/源極 RDS（導(dǎo)通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作溫度: 安裝風(fēng)格:Through Hole 封裝 / 箱體:Max247 封裝:Tube
IXTY3N60P 功能描述:MOSFET 3 Amps 600V 3 Rds RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶體管極性:N-Channel 汲極/源極擊穿電壓:650 V 閘/源擊穿電壓:25 V 漏極連續(xù)電流:130 A 電阻汲極/源極 RDS（導(dǎo)通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作溫度: 安裝風(fēng)格:Through Hole 封裝 / 箱體:Max247 封裝:Tube
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