型號: | IXTT140N10P |
廠商: | IXYS CORP |
元件分類: | JFETs |
英文描述: | PolarHT⑩ Power MOSFET |
中文描述: | 140 A, 100 V, 0.011 ohm, N-CHANNEL, Si, POWER, MOSFET, TO-268AA |
封裝: | TO-268, 3 PIN |
文件頁數(shù): | 3/5頁 |
文件大?。?/td> | 174K |
代理商: | IXTT140N10P |
相關(guān)PDF資料 |
PDF描述 |
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IXTQ36N50P | N-Channel Enhancement Mode |
IXTT36N50P | N-Channel Enhancement Mode |
IXTQ52N30P | PolarHT Power MOSFET |
IXTT52N30P | PolarHT Power MOSFET |
IXTQ64N25 | PolarHT Power MOSFET |
相關(guān)代理商/技術(shù)參數(shù) |
參數(shù)描述 |
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IXTT140P10T | 功能描述:MOSFET P-Channel: Standard MOSFET RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶體管極性:N-Channel 汲極/源極擊穿電壓:650 V 閘/源擊穿電壓:25 V 漏極連續(xù)電流:130 A 電阻汲極/源極 RDS(導(dǎo)通):0.014 Ohms 配置:Single 最大工作溫度: 安裝風(fēng)格:Through Hole 封裝 / 箱體:Max247 封裝:Tube |
IXTT16N10D2 | 功能描述:MOSFET D2 Depletion Mode Power MOSFETs RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶體管極性:N-Channel 汲極/源極擊穿電壓:650 V 閘/源擊穿電壓:25 V 漏極連續(xù)電流:130 A 電阻汲極/源極 RDS(導(dǎo)通):0.014 Ohms 配置:Single 最大工作溫度: 安裝風(fēng)格:Through Hole 封裝 / 箱體:Max247 封裝:Tube |
IXTT16N20D2 | 功能描述:MOSFET D2 Depletion Mode Power MOSFETs RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶體管極性:N-Channel 汲極/源極擊穿電壓:650 V 閘/源擊穿電壓:25 V 漏極連續(xù)電流:130 A 電阻汲極/源極 RDS(導(dǎo)通):0.014 Ohms 配置:Single 最大工作溫度: 安裝風(fēng)格:Through Hole 封裝 / 箱體:Max247 封裝:Tube |
IXTT16N50D2 | 功能描述:MOSFET D2 Depletion Mode Power MOSFETs RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶體管極性:N-Channel 汲極/源極擊穿電壓:650 V 閘/源擊穿電壓:25 V 漏極連續(xù)電流:130 A 電阻汲極/源極 RDS(導(dǎo)通):0.014 Ohms 配置:Single 最大工作溫度: 安裝風(fēng)格:Through Hole 封裝 / 箱體:Max247 封裝:Tube |
IXTT16P20 | 功能描述:MOSFET -16 Amps -200V 0.16 Rds RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶體管極性:N-Channel 汲極/源極擊穿電壓:650 V 閘/源擊穿電壓:25 V 漏極連續(xù)電流:130 A 電阻汲極/源極 RDS(導(dǎo)通):0.014 Ohms 配置:Single 最大工作溫度: 安裝風(fēng)格:Through Hole 封裝 / 箱體:Max247 封裝:Tube |