參數(shù)資料
型號(hào)： IXTQ96N20P
廠商： IXYS CORP
元件分類： 功率晶體管
英文描述： N-Channel Engancement Mode
中文描述： 96 A, 200 V, 0.024 ohm, N-CHANNEL, Si, POWER, MOSFET
封裝： TO-3P, 3 PIN
文件頁(yè)數(shù)： 3/5頁(yè)
文件大?。?/td> 609K
代理商： IXTQ96N20P
2005 IXYS All rights reserved
Fig. 2. Extended Output Characteristics
@ 25
o
C
0
25
50
75
100
125
150
175
200
225
250
0
2
4
6
8
V
D S
- Volts
10
12
14
16
18
20
I
D
V
GS
= 10V
7V
6V
8V
9V
Fig. 3. Output Characteristics
@ 150
o
C
0
10
20
30
40
50
60
70
80
90
100
0
1
2
3
4
5
6
7
V
D S
- Volts
I
D
V
GS
= 10V
9V
5V
6V
7V
8V
Fig. 1. Output Characteristics
@ 25
o
C
0
10
20
30
40
50
60
70
80
90
100
0
0.5
1
V
D S
- Volts
1.5
2
2.5
3
I
D
V
GS
= 10V
9V
7V
6V
8V
Fig. 4. R
DS(on
)
Normalized to 0.5 I
D25
Value vs. Junction Temperature
0.6
0.8
1
1.2
1.4
1.6
1.8
2
2.2
2.4
2.6
2.8
3
-50
-25
0
25
50
75
100
125
150
175
T
J
- Degrees Centigrade
R
D
I
D
= 96A
I
D
= 48A
V
GS
= 10V
Fig. 6. Drain Current vs. Case
Temperature
0
10
20
30
40
50
60
70
80
90
100
-50
-25
0
T
C
- Degrees Centigrade
25
50
75
100
125
150
175
I
D
Fig. 5. R
DS(on)
Normalized to
0.5 I
D25
Value vs. I
D
0.7
1
1.3
1.6
1.9
2.2
2.5
2.8
3.1
3.4
3.7
4
4.3
0
25
50
75
100 125 150 175 200 225 250
I
D
- Amperes
R
D
T
J
= 125oC
T
J
= 25oC
V
GS
= 10V
T
J
= 175oC
IXTH 96N20P IXTQ 96N20P
IXTT 96N20P
相關(guān)PDF資料
PDF描述
IXTT96N20P N-Channel Engancement Mode
IXTK100N25P PolarHT Power MOSFET N-Channel Enhancement Mode
IXTQ100N25P PolarHT Power MOSFET N-Channel Enhancement Mode
IXTT100N25P PolarHT Power MOSFET N-Channel Enhancement Mode
IXTK102N30P PolarHT Power MOSFET
相關(guān)代理商/技術(shù)參數(shù)
參數(shù)描述
IXTQ96N25T 功能描述:MOSFET 96 Amps 250V 36 Rds RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶體管極性:N-Channel 汲極/源極擊穿電壓:650 V 閘/源擊穿電壓:25 V 漏極連續(xù)電流:130 A 電阻汲極/源極 RDS（導(dǎo)通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作溫度: 安裝風(fēng)格:Through Hole 封裝 / 箱體:Max247 封裝:Tube
IXTQ98N20T 功能描述:MOSFET 98 Amps 200V 26 Rds RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶體管極性:N-Channel 汲極/源極擊穿電壓:650 V 閘/源擊穿電壓:25 V 漏極連續(xù)電流:130 A 電阻汲極/源極 RDS（導(dǎo)通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作溫度: 安裝風(fēng)格:Through Hole 封裝 / 箱體:Max247 封裝:Tube
IXTR120P20T 功能描述:MOSFET TrenchP Power MOSFET RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶體管極性:N-Channel 汲極/源極擊穿電壓:650 V 閘/源擊穿電壓:25 V 漏極連續(xù)電流:130 A 電阻汲極/源極 RDS（導(dǎo)通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作溫度: 安裝風(fēng)格:Through Hole 封裝 / 箱體:Max247 封裝:Tube
IXTR140P10T 功能描述:MOSFET TrenchP Channel Power MOSFETs RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶體管極性:N-Channel 汲極/源極擊穿電壓:650 V 閘/源擊穿電壓:25 V 漏極連續(xù)電流:130 A 電阻汲極/源極 RDS（導(dǎo)通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作溫度: 安裝風(fēng)格:Through Hole 封裝 / 箱體:Max247 封裝:Tube
IXTR16P60P 功能描述:MOSFET -10.0 Amps -600V 0.790 Rds RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶體管極性:N-Channel 汲極/源極擊穿電壓:650 V 閘/源擊穿電壓:25 V 漏極連續(xù)電流:130 A 電阻汲極/源極 RDS（導(dǎo)通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作溫度: 安裝風(fēng)格:Through Hole 封裝 / 箱體:Max247 封裝:Tube
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