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參數(shù)資料
| 型號(hào)： | IXTQ52N30P |
| 廠商： | IXYS CORP |
| 元件分類： | 功率晶體管 |
| 英文描述： | PolarHT Power MOSFET |
| 中文描述： | 52 A, 300 V, 0.066 ohm, N-CHANNEL, Si, POWER, MOSFET |
| 封裝： | TO-3P, 3 PIN |
| 文件頁數(shù)： | 5/5頁 |
| 文件大?。?/td> | 584K |
| 代理商： | IXTQ52N30P |
2004 IXYS All rights reserved
IXTQ 52N30P
IXTT 52N30P
Fig. 13. Maximum Transient Thermal Resistance
0.01
0.10
1.00
1
10
100
1000
Pulse Width - milliseconds
R
(
(
相關(guān)PDF資料 |
PDF描述 |
|---|---|
| IXTT52N30P | PolarHT Power MOSFET |
| IXTQ64N25 | PolarHT Power MOSFET |
| IXTQ64N25P | PolarHT Power MOSFET |
| IXTT64N25P | PolarHT Power MOSFET |
| IXTQ69N30 | PolarHT Power MOSFET |
相關(guān)代理商/技術(shù)參數(shù) |
參數(shù)描述 |
|---|---|
| IXTQ52P10P | 功能描述:MOSFET -52.0 Amps -100V 0.050 Rds RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶體管極性:N-Channel 汲極/源極擊穿電壓:650 V 閘/源擊穿電壓:25 V 漏極連續(xù)電流:130 A 電阻汲極/源極 RDS（導(dǎo)通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作溫度: 安裝風(fēng)格:Through Hole 封裝 / 箱體:Max247 封裝:Tube |
| IXTQ54N30T | 功能描述:MOSFET 54 Amps 300V 72 Rds RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶體管極性:N-Channel 汲極/源極擊穿電壓:650 V 閘/源擊穿電壓:25 V 漏極連續(xù)電流:130 A 電阻汲極/源極 RDS（導(dǎo)通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作溫度: 安裝風(fēng)格:Through Hole 封裝 / 箱體:Max247 封裝:Tube |
| IXTQ56N15T | 功能描述:MOSFET 56 Amps 150V 36 Rds RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶體管極性:N-Channel 汲極/源極擊穿電壓:650 V 閘/源擊穿電壓:25 V 漏極連續(xù)電流:130 A 電阻汲極/源極 RDS（導(dǎo)通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作溫度: 安裝風(fēng)格:Through Hole 封裝 / 箱體:Max247 封裝:Tube |
| IXTQ60N20L2 | 功能描述:MOSFET LINEAR L2 SERIES MOSFET 200V 60A RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶體管極性:N-Channel 汲極/源極擊穿電壓:650 V 閘/源擊穿電壓:25 V 漏極連續(xù)電流:130 A 電阻汲極/源極 RDS（導(dǎo)通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作溫度: 安裝風(fēng)格:Through Hole 封裝 / 箱體:Max247 封裝:Tube |
| IXTQ60N20T | 制造商:IXYS 制造商全稱:IXYS Corporation 功能描述:N-Channel Enhancement Mode For PDP Drivers Avalanche Rated |
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