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IXTL10P20	TRANSISTOR \| MOSFET \| P-CHANNEL \| 200V V(BR)DSS \| 10A I(D) \| TO-254
IXTL10P50	TRANSISTOR \| MOSFET \| P-CHANNEL \| 500V V(BR)DSS \| 10A I(D) \| TO-254
IXTL11P40	TRANSISTOR \| MOSFET \| P-CHANNEL \| 400V V(BR)DSS \| 11A I(D) \| TO-254
IXTL14P20	TRANSISTOR \| MOSFET \| P-CHANNEL \| 200V V(BR)DSS \| 14A I(D) \| TO-254
IXTL150	TRANSISTOR \| MOSFET \| N-CHANNEL \| 100V V(BR)DSS \| 25A I(D) \| TO-254

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IXTH8P50	功能描述:MOSFET -8 Amps -500V 1.2 Rds RoHS:否制造商:STMicroelectronics 晶體管極性:N-Channel 汲極/源極擊穿電壓:650 V 閘/源擊穿電壓:25 V 漏極連續(xù)電流:130 A 電阻汲極/源極 RDS（導(dǎo)通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作溫度: 安裝風(fēng)格:Through Hole 封裝 / 箱體:Max247 封裝:Tube
IXTH90N15T	功能描述:MOSFET N-CH 150V 90A TO247 RoHS:是類別:分離式半導(dǎo)體產(chǎn)品 >> FET - 單系列:- 標(biāo)準(zhǔn)包裝:1,000 系列:MESH OVERLAY™ FET 型:MOSFET N 通道，金屬氧化物 FET 特點(diǎn):邏輯電平門漏極至源極電壓(Vdss):200V 電流 - 連續(xù)漏極(Id) @ 25° C:18A 開態(tài)Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25° C:180 毫歐 @ 9A，10V Id 時(shí)的 Vgs(th)（最大）:4V @ 250µA 閘電荷(Qg) @ Vgs:72nC @ 10V 輸入電容 (Ciss) @ Vds:1560pF @ 25V 功率 - 最大:40W 安裝類型:通孔封裝/外殼:TO-220-3 整包供應(yīng)商設(shè)備封裝:TO-220FP 包裝:管件
IXTH90P10P	功能描述:MOSFET -90.0 Amps -100V 0.250 Rds RoHS:否制造商:STMicroelectronics 晶體管極性:N-Channel 汲極/源極擊穿電壓:650 V 閘/源擊穿電壓:25 V 漏極連續(xù)電流:130 A 電阻汲極/源極 RDS（導(dǎo)通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作溫度: 安裝風(fēng)格:Through Hole 封裝 / 箱體:Max247 封裝:Tube
IXTH96N20P	功能描述:MOSFET 96 Amps 200V 0.024 Rds RoHS:否制造商:STMicroelectronics 晶體管極性:N-Channel 汲極/源極擊穿電壓:650 V 閘/源擊穿電壓:25 V 漏極連續(xù)電流:130 A 電阻汲極/源極 RDS（導(dǎo)通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作溫度: 安裝風(fēng)格:Through Hole 封裝 / 箱體:Max247 封裝:Tube
IXTH96N25T	功能描述:MOSFET 96 Amps 250V 36 Rds RoHS:否制造商:STMicroelectronics 晶體管極性:N-Channel 汲極/源極擊穿電壓:650 V 閘/源擊穿電壓:25 V 漏極連續(xù)電流:130 A 電阻汲極/源極 RDS（導(dǎo)通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作溫度: 安裝風(fēng)格:Through Hole 封裝 / 箱體:Max247 封裝:Tube

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參數(shù)描述

IXTH8P50

功能描述:MOSFET -8 Amps -500V 1.2 Rds RoHS:否制造商:STMicroelectronics 晶體管極性:N-Channel 汲極/源極擊穿電壓:650 V 閘/源擊穿電壓:25 V 漏極連續(xù)電流:130 A 電阻汲極/源極 RDS（導(dǎo)通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作溫度: 安裝風(fēng)格:Through Hole 封裝 / 箱體:Max247 封裝:Tube

IXTH90N15T

功能描述:MOSFET N-CH 150V 90A TO247 RoHS:是類別:分離式半導(dǎo)體產(chǎn)品 >> FET - 單系列:- 標(biāo)準(zhǔn)包裝:1,000 系列:MESH OVERLAY™ FET 型:MOSFET N 通道，金屬氧化物 FET 特點(diǎn):邏輯電平門漏極至源極電壓(Vdss):200V 電流 - 連續(xù)漏極(Id) @ 25° C:18A 開態(tài)Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25° C:180 毫歐 @ 9A，10V Id 時(shí)的 Vgs(th)（最大）:4V @ 250µA 閘電荷(Qg) @ Vgs:72nC @ 10V 輸入電容 (Ciss) @ Vds:1560pF @ 25V 功率 - 最大:40W 安裝類型:通孔封裝/外殼:TO-220-3 整包供應(yīng)商設(shè)備封裝:TO-220FP 包裝:管件

IXTH90P10P

功能描述:MOSFET -90.0 Amps -100V 0.250 Rds RoHS:否制造商:STMicroelectronics 晶體管極性:N-Channel 汲極/源極擊穿電壓:650 V 閘/源擊穿電壓:25 V 漏極連續(xù)電流:130 A 電阻汲極/源極 RDS（導(dǎo)通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作溫度: 安裝風(fēng)格:Through Hole 封裝 / 箱體:Max247 封裝:Tube

IXTH96N20P

功能描述:MOSFET 96 Amps 200V 0.024 Rds RoHS:否制造商:STMicroelectronics 晶體管極性:N-Channel 汲極/源極擊穿電壓:650 V 閘/源擊穿電壓:25 V 漏極連續(xù)電流:130 A 電阻汲極/源極 RDS（導(dǎo)通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作溫度: 安裝風(fēng)格:Through Hole 封裝 / 箱體:Max247 封裝:Tube

IXTH96N25T

功能描述:MOSFET 96 Amps 250V 36 Rds RoHS:否制造商:STMicroelectronics 晶體管極性:N-Channel 汲極/源極擊穿電壓:650 V 閘/源擊穿電壓:25 V 漏極連續(xù)電流:130 A 電阻汲極/源極 RDS（導(dǎo)通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作溫度: 安裝風(fēng)格:Through Hole 封裝 / 箱體:Max247 封裝:Tube

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型號(hào)：	IXTH8P45
英文描述：	TRANSISTOR \| MOSFET \| P-CHANNEL \| 450V V(BR)DSS \| 8A I(D) \| TO-218VAR
中文描述：	晶體管\| MOSFET的\| P通道\| 450V五（巴西）直\| 8A條（?。﹟對(duì)218VAR
文件頁(yè)數(shù)：	11/12頁(yè)
文件大小：	1098K
代理商：	IXTH8P45

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