參數(shù)資料
型號(hào): IXTH5N95A
英文描述: TRANSISTOR | MOSFET | N-CHANNEL | 950V V(BR)DSS | 5A I(D) | TO-247
中文描述: 晶體管| MOSFET的| N溝道| 950V五(巴西)直| 5A條(?。﹟至247
文件頁數(shù): 1/12頁
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代理商: IXTH5N95A
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相關(guān)PDF資料
PDF描述
IXTH7P45 TRANSISTOR | MOSFET | P-CHANNEL | 450V V(BR)DSS | 7A I(D) | TO-218VAR
IXTH8P45 TRANSISTOR | MOSFET | P-CHANNEL | 450V V(BR)DSS | 8A I(D) | TO-218VAR
IXTL10P20 TRANSISTOR | MOSFET | P-CHANNEL | 200V V(BR)DSS | 10A I(D) | TO-254
IXTL10P50 TRANSISTOR | MOSFET | P-CHANNEL | 500V V(BR)DSS | 10A I(D) | TO-254
IXTL11P40 TRANSISTOR | MOSFET | P-CHANNEL | 400V V(BR)DSS | 11A I(D) | TO-254
相關(guān)代理商/技術(shù)參數(shù)
參數(shù)描述
IXTH60N10 功能描述:MOSFET 60 Amps 100 V 0.033 W Rds RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶體管極性:N-Channel 汲極/源極擊穿電壓:650 V 閘/源擊穿電壓:25 V 漏極連續(xù)電流:130 A 電阻汲極/源極 RDS(導(dǎo)通):0.014 Ohms 配置:Single 最大工作溫度: 安裝風(fēng)格:Through Hole 封裝 / 箱體:Max247 封裝:Tube
IXTH60N15 功能描述:MOSFET 60 Amps 150V 0.033 Rds RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶體管極性:N-Channel 汲極/源極擊穿電壓:650 V 閘/源擊穿電壓:25 V 漏極連續(xù)電流:130 A 電阻汲極/源極 RDS(導(dǎo)通):0.014 Ohms 配置:Single 最大工作溫度: 安裝風(fēng)格:Through Hole 封裝 / 箱體:Max247 封裝:Tube
IXTH60N20L2 功能描述:MOSFET LINEAR L2 SERIES MOSFET 200V 60A RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶體管極性:N-Channel 汲極/源極擊穿電壓:650 V 閘/源擊穿電壓:25 V 漏極連續(xù)電流:130 A 電阻汲極/源極 RDS(導(dǎo)通):0.014 Ohms 配置:Single 最大工作溫度: 安裝風(fēng)格:Through Hole 封裝 / 箱體:Max247 封裝:Tube
IXTH60N25 功能描述:MOSFET 60 Amps 250V 0.046 Rds RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶體管極性:N-Channel 汲極/源極擊穿電壓:650 V 閘/源擊穿電壓:25 V 漏極連續(xù)電流:130 A 電阻汲極/源極 RDS(導(dǎo)通):0.014 Ohms 配置:Single 最大工作溫度: 安裝風(fēng)格:Through Hole 封裝 / 箱體:Max247 封裝:Tube
IXTH60N30T 功能描述:MOSFET 60 Amps 300V 60 Rds RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶體管極性:N-Channel 汲極/源極擊穿電壓:650 V 閘/源擊穿電壓:25 V 漏極連續(xù)電流:130 A 電阻汲極/源極 RDS(導(dǎo)通):0.014 Ohms 配置:Single 最大工作溫度: 安裝風(fēng)格:Through Hole 封裝 / 箱體:Max247 封裝:Tube