參數(shù)資料
型號(hào)： IXSM45N100
廠商： IXYS CORP
元件分類： 功率晶體管
英文描述： Low VCE(sat) IGBT - Short Circuit SOA Capability
中文描述： 75 A, 1000 V, N-CHANNEL IGBT, TO-204AE
封裝： TO-204AE, 3 PIN
文件頁(yè)數(shù)： 2/4頁(yè)
文件大?。?/td> 103K
代理商： IXSM45N100
2 - 4
2000 IXYS All rights reserved
Symbol
Test Conditions
Characteristic Values
(T
J
= 25 C, unless otherwise specified)
min.
typ.
max.
g
fs
I
Pulse test, t 300 s, duty cycle d 2 %
= I
; V
= 10 V,
20
25
S
I
C(on)
V
GE
= 15 V, V
CE
= 10 V
195
A
C
ies
C
oes
C
res
4150
300
pF
pF
pF
V
CE
= 25 V, V
GE
= 0 V, f = 1 MHz
60
Q
g
Q
ge
Q
gc
165
40
80
260
60
200
nC
nC
nC
I
C
= I
C90
, V
GE
= 15 V, V
CE
= 0.5 V
CES
t
d(on)
t
ri
t
d(off)
t
fi
E
off
80
ns
ns
ns
ns
mJ
150
400
1000
15
1500
t
d(on)
t
ri
E
on
t
d(off)
t
fi
100
300
5.4
550
2200
ns
ns
mJ
ns
ns
900
2900
E
off
25
mJ
R
thJC
R
thCK
0.42 K/W
0.25
K/W
Inductive load, T
J
= 25 C
I
C
= I
, V
GE
= 15 V, L = 100 H
V
CE
= 0.8 V
CES
, R
G
= 2.7
Remarks: Switching times may
increase for V
(Clamp) > 0.8 V
CES
,
higher T
J
or increased R
G
Inductive load, T
J
= 125 C
I
C
= I
C90
, V
GE
= 15 V, L = 100 H
V
CE
= 0.8 V
CES
, R
G
= 2.7
Remarks: Switching times
may increase for
V
(Clamp) > 0.8 V
,
higher T
J
or increased R
G
IXSH 45N100
IXSM 45N100
TO-247 AD (IXSH) Outline
Dim. Millimeter
Min.
Inches
Min.
Max.
Max.
A
B
19.81 20.32
20.80 21.46
0.780 0.800
0.819 0.845
C
D
15.75 16.26
3.55
0.610 0.640
0.140 0.144
3.65
E
F
4.32
5.4
5.49
6.2
0.170 0.216
0.212 0.244
G
H
1.65
2.13
4.5
0.065 0.084
-
-
0.177
J
K
1.0
10.8
1.4
11.0
0.040 0.055
0.426 0.433
L
M
4.7
0.4
5.3
0.8
0.185 0.209
0.016 0.031
N
1.5
2.49
0.087 0.102
TO-204 AE (IXSM) Outline
Dim.
Millimeter
Min.
38.61 39.12
- 22.22
6.40 11.40
1.45
1.52
30.15
10.67 11.17
5.21
16.64 17.14
11.18 12.19
3.84
25.16 26.66
Inches
Min.
1.520 1.540
- 0.875
0.252 0.449
0.057 0.063
0.060 0.135
1.187
0.420 0.440
0.205 0.225
0.655 0.675
0.440 0.480
0.151 0.165
0.991 1.050
Max.
Max.
A
B
C
D
E
F
G
H
J
K
Q
R
1.60
3.43
BSC
BSC
5.71
4.19
IXYS MOSFETS and IGBTs are covered by one or more of the following U.S. patents:
4,835,592
4,881,106
5,017,508
4,850,072
4,931,844
5,034,796
5,049,961
5,063,307
5,187,117
5,237,481
5,486,715
5,381,025
相關(guān)PDF資料
PDF描述
IXSH45N100 Low VCE(sat) IGBT(VCES為1000V，VCE(sat)為2.7V的絕緣柵雙極晶體管)
IXSN35N100U1 IGBT with Diode - High Short Circuit SOA Capability
IXSN35N120AU1 High Voltage IGBT with Diode
IXSN50N60BD2 High Speed IGBT with HiPerFRED(VCES為600V，VCE(sat)為2.5V的高速絕緣柵雙極晶體管(帶Hiper快速恢復(fù)外延型二極管))
IXSN52N60AU1 IGBT with Diode(VCES為600V，VCE(sat)為3V的絕緣柵雙極晶體管(帶二極管）)
相關(guān)代理商/技術(shù)參數(shù)
參數(shù)描述
IXSN30N100AU1 制造商:未知廠家 制造商全稱:未知廠家 功能描述:TRANSISTOR | IGBT | N-CHAN | 1KV V(BR)CES | 34A I(C) | SOT-227B
IXSN35N100AU1 制造商:未知廠家 制造商全稱:未知廠家 功能描述:TRANSISTOR | IGBT POWER MODULE | INDEPENDENT | 600V V(BR)CES | 80A I(C)
IXSN35N100U1 功能描述:IGBT 晶體管 35 Amps 1000V RoHS:否 制造商:Fairchild Semiconductor 配置: 集電極—發(fā)射極最大電壓 VCEO:650 V 集電極—射極飽和電壓:2.3 V 柵極/發(fā)射極最大電壓:20 V 在25 C的連續(xù)集電極電流:150 A 柵極—射極漏泄電流:400 nA 功率耗散:187 W 最大工作溫度: 封裝 / 箱體:TO-247 封裝:Tube
IXSN35N120AU1 功能描述:IGBT 晶體管 35 Amps 1200V 4 Rds RoHS:否 制造商:Fairchild Semiconductor 配置: 集電極—發(fā)射極最大電壓 VCEO:650 V 集電極—射極飽和電壓:2.3 V 柵極/發(fā)射極最大電壓:20 V 在25 C的連續(xù)集電極電流:150 A 柵極—射極漏泄電流:400 nA 功率耗散:187 W 最大工作溫度: 封裝 / 箱體:TO-247 封裝:Tube
IXSN40N60AU1 制造商:未知廠家 制造商全稱:未知廠家 功能描述:TRANSISTOR | IGBT | N-CHAN | 600V V(BR)CES | 45A I(C) | SOT-227B
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