參數(shù)資料
型號(hào): IXSM35N100
英文描述: TRANSISTOR | IGBT | N-CHAN | 1KV V(BR)CES | 35A I(C) | TO-204AE
中文描述: 晶體管| IGBT的|正陳| 1KV交五(巴西)國際消費(fèi)電子展| 35A條一(c)|至204AE
文件頁數(shù): 12/26頁
文件大小: 777K
代理商: IXSM35N100
相關(guān)PDF資料
PDF描述
IXSH50N60BS TRANSISTOR | IGBT | N-CHAN | 600V V(BR)CES | 75A I(C) | TO-247SMD
IXSK40N60BD1 TRANSISTOR | IGBT | N-CHAN | 600V V(BR)CES | 75A I(C) | TO-264AA
IXSX40N60BD1 TRANSISTOR | IGBT | N-CHAN | 600V V(BR)CES | 75A I(C) | TO-247AD
IXSK50N60BU1 TRANSISTOR | IGBT | N-CHAN | 600V V(BR)CES | 75A I(C) | TO-264AA
IXSX50N60BU1 TRANSISTOR | IGBT | N-CHAN | 600V V(BR)CES | 75A I(C) | TO-247VAR
相關(guān)代理商/技術(shù)參數(shù)
參數(shù)描述
IXSM35N100A 制造商:IXYS 制造商全稱:IXYS Corporation 功能描述:High speed IGBT
IXSM40N60 制造商:IXYS 制造商全稱:IXYS Corporation 功能描述:Low VCE(sat) IGBT, High Speed IGBT
IXSM40N60A 功能描述:IGBT 晶體管 40 Amps 600V RoHS:否 制造商:Fairchild Semiconductor 配置: 集電極—發(fā)射極最大電壓 VCEO:650 V 集電極—射極飽和電壓:2.3 V 柵極/發(fā)射極最大電壓:20 V 在25 C的連續(xù)集電極電流:150 A 柵極—射極漏泄電流:400 nA 功率耗散:187 W 最大工作溫度: 封裝 / 箱體:TO-247 封裝:Tube
IXSM45N100 制造商:IXYS 制造商全稱:IXYS Corporation 功能描述:Low VCE(sat) IGBT - Short Circuit SOA Capability
IXSN30N100AU1 制造商:未知廠家 制造商全稱:未知廠家 功能描述:TRANSISTOR | IGBT | N-CHAN | 1KV V(BR)CES | 34A I(C) | SOT-227B