參數(shù)資料
型號： IXSH40N60A
廠商： IXYS CORP
元件分類： 功率晶體管
英文描述： Low VCE(sat) High Speed IGBT(VCE(sat)為3.0V的高速絕緣柵雙極場效應(yīng)管)
中文描述： 75 A, 600 V, N-CHANNEL IGBT, TO-247AD
文件頁數(shù)： 4/6頁
文件大?。?/td> 91K
代理商： IXSH40N60A
IXYS Semiconductor GmbH
Edisonstr. 15, D-68623 Lampertheim
Phone: +49-6206-503-0, Fax: +49-6206-503627
IXYS reserves the right to change limits, test conditions, and dimensions.
IXYS Corporation
3540 Bassett Street, Santa Clara CA 95054
Phone: 408-982-0700, Fax: 408-496-0670
IXSH 40N60
IXSH 40N60A
IXSM 40N60
IXSM 40N60A
Time - Seconds
0.00001
0.0001
0.001
0.01
0.1
1
T
0.001
0.01
0.1
1
V
CE
- Volts
0
100
200
300
400
500
600
700
I
C
0.01
0.1
1
10
100
T
J
= 125°C
R
G
= 22
dV/dt < 6V/ns
Q
g
- nCoulombs
0
50
100
150
200
250
V
G
0
3
6
9
12
15
I
C
= 40A
V
CE
= 480V
R
G
- Ohms
0
10
20
30
40
50
0
2
4
6
8
10
t
0
200
400
600
800
1000
I
C
- Amperes
0
10
20
30
40
50
60
70
80
T
f
0
250
500
750
1000
0
3
6
9
12
Single Pulse
D = Duty Cycle
D=0.01
D=0.5
D=0.2
D=0.02
E
o
t
fi
(-A)
hi-speed
E
off
(-A)
hi-speed
T
J
= 125°C
R
G
= 10
E
o
t
fi
(-A), hi-speed
E
off
(-A), hi-speed
T
J
= 125°C
I
C
= 40A
D=0.05
D=0.1
Fig.11 Transient Thermal Impedance
Fig.9 Gate Charge Characteristic Curve
Fig.10
Turn-Off Safe Operating Area
Fig.7 Turn-Off Energy per Pulse and
Fall Time on Collector Current
Fig.8 Dependence of Turn-Off Energy
Per Pulse and Fall Time on R
G
相關(guān)PDF資料
PDF描述
IXSM40N60 Low VCE(sat) IGBT, High Speed IGBT
IXSM45N100 Low VCE(sat) IGBT - Short Circuit SOA Capability
IXSH45N100 Low VCE(sat) IGBT(VCES為1000V，VCE(sat)為2.7V的絕緣柵雙極晶體管)
IXSN35N100U1 IGBT with Diode - High Short Circuit SOA Capability
IXSN35N120AU1 High Voltage IGBT with Diode
相關(guān)代理商/技術(shù)參數(shù)
參數(shù)描述
IXSH40N60B 功能描述:IGBT 晶體管 75 Amps 600V 2.2 Rds RoHS:否 制造商:Fairchild Semiconductor 配置: 集電極—發(fā)射極最大電壓 VCEO:650 V 集電極—射極飽和電壓:2.3 V 柵極/發(fā)射極最大電壓:20 V 在25 C的連續(xù)集電極電流:150 A 柵極—射極漏泄電流:400 nA 功率耗散:187 W 最大工作溫度: 封裝 / 箱體:TO-247 封裝:Tube
IXSH40N60B2D1 功能描述:IGBT HS W/DIODE 600V 48A TO247 RoHS:是 類別:分離式半導(dǎo)體產(chǎn)品 >> IGBT - 單路 系列:- 標(biāo)準(zhǔn)包裝:30 系列:GenX3™ IGBT 類型:PT 電壓 - 集電極發(fā)射極擊穿（最大）:1200V Vge, Ic時的最大Vce（開）:3V @ 15V，100A 電流 - 集電極 (Ic)（最大）:200A 功率 - 最大:830W 輸入類型:標(biāo)準(zhǔn) 安裝類型:通孔 封裝/外殼:TO-247-3 供應(yīng)商設(shè)備封裝:PLUS247?-3 包裝:管件
IXSH45N100 功能描述:IGBT 晶體管 IGBT SCSOA 1000V 50A RoHS:否 制造商:Fairchild Semiconductor 配置: 集電極—發(fā)射極最大電壓 VCEO:650 V 集電極—射極飽和電壓:2.3 V 柵極/發(fā)射極最大電壓:20 V 在25 C的連續(xù)集電極電流:150 A 柵極—射極漏泄電流:400 nA 功率耗散:187 W 最大工作溫度: 封裝 / 箱體:TO-247 封裝:Tube
IXSH45N120 功能描述:IGBT 晶體管 45 Amps 1200V 3 Rds RoHS:否 制造商:Fairchild Semiconductor 配置: 集電極—發(fā)射極最大電壓 VCEO:650 V 集電極—射極飽和電壓:2.3 V 柵極/發(fā)射極最大電壓:20 V 在25 C的連續(xù)集電極電流:150 A 柵極—射極漏泄電流:400 nA 功率耗散:187 W 最大工作溫度: 封裝 / 箱體:TO-247 封裝:Tube
IXSH45N120B 功能描述:IGBT 晶體管 75 Amps 1200V 3 Rds RoHS:否 制造商:Fairchild Semiconductor 配置: 集電極—發(fā)射極最大電壓 VCEO:650 V 集電極—射極飽和電壓:2.3 V 柵極/發(fā)射極最大電壓:20 V 在25 C的連續(xù)集電極電流:150 A 柵極—射極漏泄電流:400 nA 功率耗散:187 W 最大工作溫度: 封裝 / 箱體:TO-247 封裝:Tube
發(fā)布緊急采購，3分鐘左右您將得到回復(fù)。

采購需求

(若只采購一條型號，填寫一行即可)

發(fā)布成功！您可以繼續(xù)發(fā)布采購。也可以進(jìn)入我的后臺，查看報價

發(fā)布成功！您可以繼續(xù)發(fā)布采購。也可以進(jìn)入我的后臺，查看報價

*型號 *數(shù)量 廠商 批號 封裝
添加更多采購

我的聯(lián)系方式

*
*
*