參數(shù)資料
型號(hào)： IXGE75N90Z
英文描述： TRANSISTOR | IGBT POWER MODULE | INDEPENDENT | 900V V(BR)CES | 75A I(C)
中文描述： 晶體管| IGBT功率模塊|獨(dú)立| 900V五（巴西）國(guó)際消費(fèi)電子展| 75A條一（c）
文件頁(yè)數(shù)： 1/6頁(yè)
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代理商： IXGE75N90Z
相關(guān)PDF資料
PDF描述
IXTE10C40X4U TRANSISTOR | MOSFET POWER MODULE | INDEPENDENT | 400V V(BR)DSS | 10A I(D)
IXTE10C50X4U TRANSISTOR | MOSFET POWER MODULE | INDEPENDENT | 500V V(BR)DSS | 10A I(D)
IXTE10N60X4 TRANSISTOR | MOSFET POWER MODULE | INDEPENDENT | 650V V(BR)DSS | 10A I(D)
IXTE10N60X4U TRANSISTOR | MOSFET POWER MODULE | INDEPENDENT | 650V V(BR)DSS | 10A I(D)
IXTE12N50X4 TRANSISTOR | MOSFET POWER MODULE | INDEPENDENT | 500V V(BR)DSS | 12A I(D)
相關(guān)代理商/技術(shù)參數(shù)
參數(shù)描述
IXGF20N250 制造商:IXYS Corporation 功能描述:IGBT 2500V 23A 100W I4-PAK
IXGF20N300 制造商:IXYS Corporation 功能描述:IGBT 3000V 22A 100W I4-PAK
IXGF25N250 功能描述:IGBT 晶體管 I4-Pak RoHS:否 制造商:Fairchild Semiconductor 配置: 集電極—發(fā)射極最大電壓 VCEO:650 V 集電極—射極飽和電壓:2.3 V 柵極/發(fā)射極最大電壓:20 V 在25 C的連續(xù)集電極電流:150 A 柵極—射極漏泄電流:400 nA 功率耗散:187 W 最大工作溫度: 封裝 / 箱體:TO-247 封裝:Tube
IXGF25N300 制造商:IXYS Corporation 功能描述:Trans IGBT Chip N-CH 3KV 27A 3-Pin ISOPLUS I4-PAC 制造商:IXYS Corporation 功能描述:IGBT 3000V 27A 114W I4-PAK
IXGF30N400 功能描述:IGBT 晶體管 I4-Pak RoHS:否 制造商:Fairchild Semiconductor 配置: 集電極—發(fā)射極最大電壓 VCEO:650 V 集電極—射極飽和電壓:2.3 V 柵極/發(fā)射極最大電壓:20 V 在25 C的連續(xù)集電極電流:150 A 柵極—射極漏泄電流:400 nA 功率耗散:187 W 最大工作溫度: 封裝 / 箱體:TO-247 封裝:Tube
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