參數(shù)資料
型號(hào)： IXGA15N120C
英文描述： TRANSISTOR | IGBT | N-CHAN | 1.2KV V(BR)CES | 30A I(C) | TO-263AA
中文描述： 晶體管| IGBT的|正陳| 1.2KV五（巴西）國(guó)際消費(fèi)電子展| 30A條一（c）|至263AA
文件頁(yè)數(shù)： 4/5頁(yè)
文件大小： 381K
代理商： IXGA15N120C
相關(guān)PDF資料
PDF描述
IXGP10N100 TRANSISTOR | IGBT | N-CHAN | 1KV V(BR)CES | 20A I(C) | TO-220AB
IXGP10N50 TRANSISTOR | IGBT | N-CHAN | 500V V(BR)CES | 20A I(C) | TO-220AB
IXGP10N80 TRANSISTOR | IGBT | N-CHAN | 800V V(BR)CES | 20A I(C) | TO-220AB
IXGP10N90 TRANSISTOR | IGBT | N-CHAN | 900V V(BR)CES | 20A I(C) | TO-220AB
IXGP15N120C TRANSISTOR | IGBT | N-CHAN | 1.2KV V(BR)CES | 30A I(C) | TO-220AB
相關(guān)代理商/技術(shù)參數(shù)
參數(shù)描述
IXGA16N60B2 功能描述:IGBT 晶體管 16 Amps 600V 2.3V Rds RoHS:否 制造商:Fairchild Semiconductor 配置: 集電極—發(fā)射極最大電壓 VCEO:650 V 集電極—射極飽和電壓:2.3 V 柵極/發(fā)射極最大電壓:20 V 在25 C的連續(xù)集電極電流:150 A 柵極—射極漏泄電流:400 nA 功率耗散:187 W 最大工作溫度: 封裝 / 箱體:TO-247 封裝:Tube
IXGA16N60B2D1 功能描述:IGBT 晶體管 16 Amps 600V 2.3V Rds RoHS:否 制造商:Fairchild Semiconductor 配置: 集電極—發(fā)射極最大電壓 VCEO:650 V 集電極—射極飽和電壓:2.3 V 柵極/發(fā)射極最大電壓:20 V 在25 C的連續(xù)集電極電流:150 A 柵極—射極漏泄電流:400 nA 功率耗散:187 W 最大工作溫度: 封裝 / 箱體:TO-247 封裝:Tube
IXGA16N60C2 功能描述:IGBT 晶體管 16 Amps 600V 3.0V Rds RoHS:否 制造商:Fairchild Semiconductor 配置: 集電極—發(fā)射極最大電壓 VCEO:650 V 集電極—射極飽和電壓:2.3 V 柵極/發(fā)射極最大電壓:20 V 在25 C的連續(xù)集電極電流:150 A 柵極—射極漏泄電流:400 nA 功率耗散:187 W 最大工作溫度: 封裝 / 箱體:TO-247 封裝:Tube
IXGA16N60C2_10 制造商:IXYS 制造商全稱(chēng):IXYS Corporation 功能描述:HiPerFAST IGBTs C2-Class High Speed
IXGA16N60C2D1 功能描述:IGBT 晶體管 16 Amps 600V 3.0V Rds RoHS:否 制造商:Fairchild Semiconductor 配置: 集電極—發(fā)射極最大電壓 VCEO:650 V 集電極—射極飽和電壓:2.3 V 柵極/發(fā)射極最大電壓:20 V 在25 C的連續(xù)集電極電流:150 A 柵極—射極漏泄電流:400 nA 功率耗散:187 W 最大工作溫度: 封裝 / 箱體:TO-247 封裝:Tube
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