參數(shù)資料
型號(hào)： IXFX30N100Q2
廠商： IXYS CORP
元件分類： 功率晶體管
英文描述： HiPerFET Power MOSFETs Q-Class
中文描述： 30 A, 1000 V, 0.4 ohm, N-CHANNEL, Si, POWER, MOSFET
封裝： PLASTIC, PLUS247, 3 PIN
文件頁(yè)數(shù)： 3/4頁(yè)
文件大?。?/td> 584K
代理商： IXFX30N100Q2
2004 IXYS All rights reserved
IXFK 30N100Q2
IXFX 30N100Q2
Fig. 2. Extended Output Characteristics
@ 25
o
C
0
5
10
15
20
25
30
35
40
45
50
55
60
0
3
6
9
12
V
D S
- Volts
15
18
21
24
27
30
I
D
V
GS
= 10V
7V
5V
6V
5.5V
6.5V
Fig. 3. Output Characteristics
@ 125
o
C
0
3
6
9
12
15
18
21
24
27
30
0
3
6
9
12
15
18
21
24
27
V
D S
- Volts
I
D
V
GS
= 10V
7V
6V
5V
5.5V
4.5V
Fig. 1. Output Characteristics
@ 25
o
C
0
3
6
9
12
15
18
21
24
27
30
0
1
2
3
4
V
D S
- Volts
5
6
7
8
9
10
11
12
I
D
V
GS
= 10V
7V
6.5V
5V
6V
5.5V
Fig. 4. R
DS(on
)
Normalized to 0.5 I
D25
Value vs. Junction Temperature
0.4
0.7
1
1.3
1.6
1.9
2.2
2.5
2.8
3.1
-50
-25
0
T
J
- Degrees Centigrade
25
50
75
100
125
150
R
D
I
D
= 30A
I
D
= 15A
V
GS
= 10V
Fig. 6. Drain Current vs. Case
Temperature
0
3
6
9
12
15
18
21
24
27
30
33
-50
-25
0
25
50
75
100
125
150
T
C
- Degrees Centigrade
I
D
Fig. 5. R
DS(on)
Normalized to
0.5 I
D25
Value vs. I
D
0.8
1
1.2
1.4
1.6
1.8
2
2.2
2.4
2.6
2.8
0
5
10
15
20
25
30
35
40
45
50
55
60
I
D
- Amperes
R
D
T
J
= 125oC
T
J
= 25oC
V
GS
= 10V
相關(guān)PDF資料
PDF描述
IXGA16N60C2 HiPerFASTTM IGBT C2-Class High Speed IGBT
IXGA16N60C2D1 HiPerFASTTM IGBT C2-Class High Speed IGBT
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IXGA7N60B HiPerFAST IGBT(VCES為600V，VCE(sat)為1.5V的HiPerFAST絕緣柵雙極晶體管)
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參數(shù)描述
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