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參數(shù)資料
| 型號(hào)： | ISPLSI 2032VE-180LTN44I |
| 廠商： | Lattice Semiconductor Corporation |
| 文件頁數(shù)： | 12/16頁 |
| 文件大?。?/td> | 0K |
| 描述： | IC PLD ISP 32I/O 5NS 44TQFP |
| 標(biāo)準(zhǔn)包裝： | 160 |
| 系列： | ispLSI® 2000VE |
| 可編程類型： | 系統(tǒng)內(nèi)可編程 |
| 最大延遲時(shí)間 tpd(1)： | 5.0ns |
| 電壓電源 - 內(nèi)部： | 3 V ~ 3.6 V |
| 邏輯元件/邏輯塊數(shù)目： | 8 |
| 宏單元數(shù)： | 32 |
| 門數(shù)： | 1000 |
| 輸入/輸出數(shù)： | 32 |
| 工作溫度： | -40°C ~ 85°C |
| 安裝類型： | 表面貼裝 |
| 封裝/外殼： | 44-TQFP |
| 供應(yīng)商設(shè)備封裝： | 44-TQFP（10x10） |
| 包裝： | 托盤 |
| 其它名稱： | 220-1609 ISPLSI 2032VE-180LTN44I-ND ISPLSI2032VE-180LTN44I |
Specifications ispLSI 2032VE
4
Switching Test Conditions
Input Pulse Levels
Table 2-0003/2032VE
Input Rise and Fall Time
10% to 90%
Input Timing Reference Levels
Output Timing Reference Levels
Output Load
GND to 3.0V
1.5V
See Figure 2
3-state levels are measured 0.5V from
steady-state active level.
≤ 1.5 ns
Output Load Conditions (see Figure 2)
DC Electrical Characteristics
Over Recommended Operating Conditions
Figure 2. Test Load
+ 3.3V
R1
R2
CL*
Device
Output
Test
Point
*CL includes Test Fixture and Probe Capacitance.
0213A/2032VE
TEST CONDITION
R1
R2
CL
A
316Ω
348Ω
35pF
B
∞
348Ω
35pF
316Ω
348Ω
35pF
Active High
Active Low
C
316Ω
348Ω
5pF
∞
348Ω
5pF
Active Low to Z
at V +0.5V
OL
Active High to Z
at V
-0.5V
OH
Table 2-0004A/2032VE
VOL
SYMBOL
1. One output at a time for a maximum duration of one second. V
= 0.5V was selected to avoid test problems
by tester ground degradation. Characterized but not 100% tested.
2. Measured using two 16-bit counters.
3. Typical values are at V = 3.3V and T = 25°C.
4. Maximum I
varies widely with specific device configuration and operating frequency. Refer to Power Consumption section
of this data sheet and Thermal Management section of the Lattice Semiconductor Data Book or CD-ROM to estimate
maximum I
.
5. Unused inputs at V = 0V.
Table 2-0007/2032VE
1
VOH
IIH
IIL
IIL-isp
PARAMETER
IIL-PU
IOS
2, 4, 5
ICC
Output Low Voltage
Output High Voltage
Input or I/O High Leakage Current
Input or I/O Low Leakage Current
BSCAN Input Low Leakage Current
I/O Active Pull-Up Current
Output Short Circuit Current
Operating Power Supply Current
I = 8 mA
I
= -4 mA
V
≤ V ≤ 5.25V
0V ≤ V ≤ V (Max.)
0V ≤ V ≤ V
V = 3.3V, V
= 0.5V
V = 0.0V, V = 3.0V
f
= 1MHz
OL
OH
IN
IL
IN
IL
IN
IL
CC
OUT
CLOCK
IL
IH
CONDITION
MIN.
TYP.
MAX.
UNITS
3
–
2.4
–
80
-300/-225
0.4
–
10
-10
10
-150
-100
V
μA
mA
CC
IL
A
OUT
–
Others
mA
–
65
CC
IN
CC
(V
- 0.2)V ≤ V ≤ V
CC
IN
CC
SELECT
DEVICES
DISCONTINUED
相關(guān)PDF資料 |
PDF描述 |
|---|---|
| ISPLSI 2064A-125LTN100 | IC PLD ISP 64I/O 7.5NS 100TQFP |
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相關(guān)代理商/技術(shù)參數(shù) |
參數(shù)描述 |
|---|---|
| ISPLSI2032VE-180LTN44I | 功能描述:CPLD - 復(fù)雜可編程邏輯器件 RoHS:否 制造商:Lattice 系列: 存儲(chǔ)類型:EEPROM 大電池?cái)?shù)量:128 最大工作頻率:333 MHz 延遲時(shí)間:2.7 ns 可編程輸入/輸出端數(shù)量:64 工作電源電壓:3.3 V 最大工作溫度:+ 90 C 最小工作溫度:0 C 封裝 / 箱體:TQFP-100 |
| ISPLSI2032VE180LTN48 | 制造商:LATTICE 制造商全稱:Lattice Semiconductor 功能描述:3.3V In-System Programmable High Density SuperFAST⑩ PLD |
| ispLSI2032VE-180LTN48 | 功能描述:CPLD - 復(fù)雜可編程邏輯器件 USE ispMACH 4000V RoHS:否 制造商:Lattice 系列: 存儲(chǔ)類型:EEPROM 大電池?cái)?shù)量:128 最大工作頻率:333 MHz 延遲時(shí)間:2.7 ns 可編程輸入/輸出端數(shù)量:64 工作電源電壓:3.3 V 最大工作溫度:+ 90 C 最小工作溫度:0 C 封裝 / 箱體:TQFP-100 |
| ISPLSI2032VE180LTN48I | 制造商:LATTICE 制造商全稱:Lattice Semiconductor 功能描述:3.3V In-System Programmable High Density SuperFAST⑩ PLD |
| ISPLSI2032VE225LB49 | 制造商:LATTICE 制造商全稱:Lattice Semiconductor 功能描述:3.3V In-System Programmable High Density SuperFAST⑩ PLD |
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