參數(shù)資料
型號： ISL658090EVAL1
廠商： Intersil Corporation
英文描述： Integrated Power Stage
中文描述： 集成功率級
文件頁數(shù)： 6/31頁
文件大小： 1391K
代理商： ISL658090EVAL1
6
Absolute Maximum Ratings
Thermal Information
V
CC
. . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . .-0.3V to 18V
V
DD
. . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . -0.3V to 3.6V
V
REF
(see Note 1) . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . -0.3V to V
DD
V
DRIVE
(see Note 1) . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . -0.3V to V
CC
V
CC
-V
SW
(PChannel VBRSS). . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . .20V
ISW peak
. . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . .35A
ICC average. . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 3.5A
MOSFET Gate Capacitance . . . . . . . . See Max Gate Drive section
All Logic . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . -0.3V to 3.6V
VSENN, VSENP . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . -0.3V to 3.6V
ESD Rating
Human Body Model (Per JEDEC JESD22-A114) . . . . . . . . 1.5KV
Operating Conditions
Temperature Range. . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 0
o
C to 85
o
C
V
CC
(Typical). . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . .12V
V
DD
(Typical). . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 3.3V
V
DRIVE
(Typical) . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . .5V
V
REF
(Typical) . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 2.5V
Thermal Resistance
Junction to bottom of case. . . N/A
Junction to top of case. . . . . . N/A
Junction to board (Note 2) . . . N/A
Still air (Note 2) . . . . . . . . . . .26.0
100LFM (Note 2) . . . . . . . . . .23.5
200LFM (Note 2) . . . . . . . . . .22.3
400LFM (Note 2) . . . . . . . . . .21.2
Maximum Junction Temperature. . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . .150
o
C
Maximum Storage Temperature Range . . . . . . . . . -65
o
C to 175
o
C
Maximum Lead Temperature (Soldering 10s). . . . . . . . . . . . .300
o
C
θ
JA(o
C/W)
θ
JB(o
C/W)
N/A
N/A
9
N/A
N/A
N/A
N/A
θ
JC(o
C/W)
3
12.0
N/A
N/A
N/A
N/A
N/A
CAUTION: Stresses above those listed in “Absolute Maximum Ratings” may cause permanent damage to the device. This is a stress only rating and operation of the
device at these or any other conditions above those indicated in the operational sections of this specification is not implied.
NOTES:
1. See “Bias Supply Power On Sequence” section.
2.
θ
JA
is measured with the component mounted on a “High Effective” Thermal Conductivity Board with “Direct Attach” Features. See Technical
Brief TB379 “Thermal Characterization of Packaged Semiconductor Devices”.
Electrical Specifications
V
DD
= 3.3VDC, V
CC
= 12VDC, V
DRIVE
= 5VDC, V
REF
= 2.5V, SYSCLK = 133.33MHz, SCLK = 16.67MHz,
T
A
= 25°C Unless Otherwise Specified
PARAMETER
TEST CONDITIONS
MIN
TYP
MAX
UNITS
POWER STAGE
SWITCHING FREQUENCY
Switching Frequency
Switching Frequency Range
0.25
1
MHz
POWER STAGE: NGATE
NGATE SIGNAL PARAMETERS;
V
DRIVE
= 5VDC
NGATE Voltage
Voltage Swing for Driving External NFET (I
DRIVE
= 2A)
5
V
NGATE Pullup
Resistance
Pullup Resistance of ISL6580 for Biasing gate of External, Synchronous Rectifier,
N Channel MOSFETs
1.3
NGATE Pulldown
Resistance
Pulldown Resistance of ISL6580 for Biasing gate of External, Synchronous
Rectifier, N Channel MOSFETs
0.4
Gate Rise Time
Gate Rise Time of External NFET, Transition from 0.5 to 4.5V; into 3nF
8
ns
Gate Fall Time
Gate Fall Time of External NFET Transition from 4.5 to 0.5V; into 3nF
4
ns
Turn on Delay Time
C
LOAD
= 3nF
25
ns
POWER STAGE: INTERNAL P CHANNEL, HIGH SIDE SWITCH PARAMETERS
P Channel
RDS(on)
Static Drain-to-Source ON resistance of Internal P Channel FET,
ID =10 amps; Measured between V
CC
and V
SW
pins
20
m
P Channel V
BRSS
Switch breakdown voltage of internal P Channel FET. ID = 1.5 mA
20
V
ISL6580
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