參數(shù)資料
型號： ISL6571CRZ-T
廠商： INTERSIL CORP
元件分類： 外設(shè)及接口
英文描述： Complementary MOSFET Driver and Synchronous Half-Bridge Switch
中文描述： HALF BRIDGE BASED PRPHL DRVR, PQCC68
封裝： 10 X 10 MM, ROHS COMPLIANT, PLASTIC, MLFP-68
文件頁數(shù)： 5/11頁
文件大小： 374K
代理商： ISL6571CRZ-T
5
FN9082.4
Absolute Maximum Ratings
Thermal Information
Bias Supply Voltage, VCC . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . .+15V
Driver Supply, PVCC . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . +10.5V
Conversion Voltage, VIN . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . VCC+0.3V
DRIVE1 Voltage, V
BOOT
- V
PHASE
. . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . .+15V
Input Voltage, PWM. . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . GND -0.3V to 7V
ESD Classification . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . Class 2
Recommended Operating Conditions
Control and Conversion Voltage, VCC, VIN. . . . . . . . . . +12V
±
10%
MOSFET Bias Supply, PVCC . . . . . . . . . . . . . . . . . . . +5V to +10V
Ambient Temperature Range. . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 0°C to 70°C
Junction Temperature Range. . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 0°C to 125°C
Thermal Resistance (Typical, Note 1)
Pad 69 . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . .
Pad 70 . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . .
Pad 71 . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . .
Maximum Junction Temperature . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . .125°C
Maximum Storage Temperature Range. . . . . . . . . . .-40°C to 125°C
Maximum Lead Temperature (Soldering 10s) . . . . . . . . . . . . .300°C
θ
JC
(°C/W)
1.3
4.0
6.0
CAUTION: Stresses above those listed in “Absolute Maximum Ratings” may cause permanent damage to the device. This is a stress only rating and operation of the
device at these or any other conditions above those indicated in the operational sections of this specification is not implied.
NOTE:
1.
θ
JC
is measured with the component mounted on a typical application PCB. A separate
θ
JC
value is provided for each of the three exposed die
pads (#69, 70, 71). Each value should be used in combination with the power dissipated by only the individual die mounted on that pad.
Electrical Specifications
Recommended Operating Conditions, Unless Otherwise Noted. Refer to Figures 1, 2 and 3
PARAMETER
SYMBOL
TEST CONDITIONS
MIN
TYP
MAX
UNITS
SUPPLY CURRENT
Nominal Bias Supply Current
I
VCC
PWM Open
-
2.5
3.6
mA
POWER-ON RESET
Rising VCC Threshold
9.70
9.95
10.40
V
VCC Threshold Hysteresis
-
2.40
-
V
MOSFET DRIVER
Input Impedance
Z
IN
-
5
-
k
PWM Rising Threshold
-
-
3.80
V
PWM Falling Threshold
1.30
-
-
V
PWM-to-PHASE Low-to-High Propagation
Delay
t
PLH
-
80
-
ns
PWM-to-PHASE High-to-Low Propagation
Delay
t
PHL
-
56
-
ns
Shutdown Window
1.60
-
3.40
V
Shutdown Holdoff Time
t
SH
-
230
-
ns
UPPER MOSFET (UFET)
Drain-to-Source ON-State Resistance
r
DS(ON)
V
BOOT
- V
PHASE
= 5V
12.8
13.5
18.2
m
V
BOOT
- V
PHASE
= 10V
7.70
9.20
12.7
m
ON-State Drain Current
V
BOOT
- V
PHASE
= 5V
25
-
-
A
LOWER MOSFET (LFET)
Drain-to-Source ON-State Resistance
r
DS(ON)
V
PVCC
= 5V
4.10
4.80
5.55
m
V
PVCC
= 10V
3.40
4.05
4.70
m
ON-State Drain Current
V
PVCC
= 5V
25
-
-
A
ISL6571
相關(guān)PDF資料
PDF描述
ISL6571 Dual Low-Noise Wide-Bandwidth Precision Amplifier 8-SOIC -40 to 85
ISL658090EVAL1 Integrated Power Stage
ISL658090EVAL2 Integrated Power Stage
ISL658090EVAL3 Integrated Power Stage
ISL6580 Dual Low-Noise Wide-Bandwidth Precision Amplifier 8-SOIC -40 to 85
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參數(shù)描述
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