FN6551.2 October 26, 2009 Die Characteristics SUBSTRATE POTENTIAL (POWERED UP): GND TRANSISTOR COUNT: PROCESS: Submicron CMOS FIGURE 16. DIGITA" />
參數(shù)資料
型號： ISL54503IRUZ-T
廠商： Intersil
文件頁數(shù)： 3/13頁
文件大?。?/td> 0K
描述： IC SWITCH SPDT SGL 6UTDFN
產(chǎn)品培訓(xùn)模塊： Patient Monitoring and Diagnostic Equipment Solutions
標(biāo)準(zhǔn)包裝： 1
功能： 開關(guān)
電路： 1 x SPDT
導(dǎo)通狀態(tài)電阻： 2.5 歐姆
電壓電源： 單電源
電壓 - 電源，單路/雙路(±)： 1.8 V ~ 5.5 V
電流 - 電源： 28nA
工作溫度： -40°C ~ 85°C
安裝類型： 表面貼裝
封裝/外殼： 6-UFDFN
供應(yīng)商設(shè)備封裝： 6-UTDFN（1.2x1.0）
包裝： 標(biāo)準(zhǔn)包裝
其它名稱： ISL54503IRUZ-TDKR
11
FN6551.2
October 26, 2009
Die Characteristics
SUBSTRATE POTENTIAL (POWERED UP):
GND
TRANSISTOR COUNT:
PROCESS:
Submicron CMOS
FIGURE 16. DIGITAL SWITCHING POINT vs SUPPLY
VOLTAGE
FIGURE 17. FREQUENCY RESPONSE
FIGURE 18. OFF-ISOLATION
FIGURE 19. CHARGE INJECTION vs SWITCH
VOLTAGE
Typical Performance Curves T
A = 25°C, Unless Otherwise Specified (Continued)
V+ (V)
V
INH
AND
V
IN
L(V
)
0.2
0.4
0.6
0.8
1.0
1.2
1.4
1.5
2.0
2.5
3.0
3.5
4.0
4.5
5.0
5.5
VINH
VINL
FREQUENCY (Hz)
NO
RMA
L
IZ
ED
GAIN
(dB
)
-13
-12
-11
-10
-9
-8
-7
-6
-5
-4
-3
-2
-1
0
100k
1M
10M
100M
1G
VCOM = 1VP-P
V+ = 1.8V TO 5.5V
FREQUENCY (Hz)
(dB
)
-120
-110
-100
-90
-80
-70
-60
-50
-40
-30
-20
1k
10k
100k
1M
10M
100M
1G
V+ = 1.8V TO 5.5V
Q
(pC)
VCOM (V)
-20
-15
-10
-5
0
5
10
15
20
25
0.0
0.5
1.0
1.5
2.0
2.5
3.0
3.5
4.0
4.5
5.0
V+ = 5V
V+ = 3.3V
V+ = 1.8V
ISL54503
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PDF描述
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