FN6461.2 October 19, 2009 Die Characteristics SUBSTRATE POTENTIAL (POWERED UP): GND TRANSISTOR COUNT: 57 PROCESS: Submicron CMOS FIGURE 21. OFF" />
參數(shù)資料
型號(hào)： ISL54055IRUZ-T
廠商： Intersil
文件頁數(shù)： 3/13頁
文件大?。?/td> 0K
描述： IC SWITCH SPST 6UTDFN
標(biāo)準(zhǔn)包裝： 3,000
功能： 開關(guān)
電路： 1 x SPST- NC
導(dǎo)通狀態(tài)電阻： 360 毫歐
電壓電源： 單電源
電壓 - 電源，單路/雙路(±)： 1.8 V ~ 5.5 V
電流 - 電源： 500nA
工作溫度： -40°C ~ 85°C
安裝類型： 表面貼裝
封裝/外殼： 6-UFDFN
供應(yīng)商設(shè)備封裝： 6-UTDFN（1.2x1.0）
包裝： 帶卷 (TR)
11
FN6461.2
October 19, 2009
Die Characteristics
SUBSTRATE POTENTIAL (POWERED UP):
GND
TRANSISTOR COUNT:
57
PROCESS:
Submicron CMOS
FIGURE 21. OFF ISOLATION
FIGURE 22. CHARGE INJECTION vs SWITCH VOLTAGE
Typical Performance Curves T
A = +25°C, Unless Otherwise Specified (Continued)
FREQUENCY (Hz)
1k
100k
1M
100M 500M
10k
10M
110
10
20
30
40
50
60
70
80
90
100
V+ = 1.8V TO 5.5V
O
F
IS
OLA
T
ION
(
d
B)
VIN = 1VP-P
RL = 50Ω
SINGLE Nx INPUT
Nx PINS CONNECTED
Q
(
p
C)
VCOM (V)
0
0.5
1.0
2.0
2.5
3.0
5.0
0
20
40
80
100
120
140
V+ = 3V
V+ = 5V
V+ = 1.8V
1.5
3.5
4.0
4.5
60
ISL54054, ISL54055
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PDF描述
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