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參數(shù)資料
| 型號： | IS61LPD51236A-200B3I |
| 廠商： | INTEGRATED SILICON SOLUTION INC |
| 元件分類： | SRAM |
| 英文描述： | 512K x 36, 1024K x 18 18Mb SYNCHRONOUS PIPELINED, DOUBLE CYCLE DESELECT STATIC RAM |
| 中文描述： | 512K X 36 CACHE SRAM, 3.1 ns, PBGA165 |
| 封裝： | 13 X 15 MM, 1 MM PITCH, PLASTIC, BGA-165 |
| 文件頁數(shù)： | 27/29頁 |
| 文件大?。?/td> | 552K |
| 代理商： | IS61LPD51236A-200B3I |
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Integrated Silicon Solution, Inc. — 1-800-379-4774
7
Rev. C
07/08/08
IS61VPD51236A, IS61VPD102418A, IS61LPD51236A ,IS61LPD102418A
PIN CONFIGURATION
1024K x 18
PIN DESCRIPTIONS
A0,A1
SynchronousAddressInputs.These
pinsmusttiedtothetwoLSBsofthe
address bus.
A
Synchronous Address Inputs
ADSC
Synchronous Controller Address Status
ADSP
SynchronousProcessorAddressStatus
ADV
SynchronousBurstAddressAdvance
BWa
-BWb
SynchronousByteWriteEnable
BWE
SynchronousByteWriteEnable
CE
,CE2,CE2 SynchronousChipEnable
CLK
Synchronous Clock
DQa-DQb
SynchronousDataInput/Output
DQPa-DQPb
ParityDataI/O;DQPaisparityfor
DQa1-8;DQPbisparityforDQb1-8
GW
SynchronousGlobalWriteEnable
MODE
BurstSequenceModeSelection
OE
OutputEnable
Vdd
3.3V/2.5VPowerSupply
Vddq
IsolatedOutputBufferSupply:
3.3V/2.5V
Vss
Ground
ZZ
SnoozeEnable
A
NC
VDDQ
VSS
NC
DQPa
DQa
VSS
VDDQ
DQa
VSS
NC
VDD
ZZ
DQa
VDDQ
VSS
DQa
NC
VSS
VDDQ
NC
A
CE
CE2
NC
BWb
BWa
CE2
VDD
VSS
CLK
GW
BWE
OE
ADSC
ADSP
ADV
A
NC
VDDQ
VSS
NC
DQb
VSS
VDDQ
DQb
NC
VDD
NC
VSS
DQb
VDDQ
VSS
DQb
DQPb
NC
VSS
VDDQ
NC
1
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51
100 99 98 97 96 95 94 93 92 91 90 89 88 87 86 85 84 83 82 81
31 32 33 34 35 36 37 38 39 40 41 42 43 44 45
MODE
A
A1
A0
NC
VSS
VDD
A
46 47 48 49 50
100-PIN TQFP
相關(guān)PDF資料 |
PDF描述 |
|---|---|
| IS61LPD51236A-200TQ | 512K x 36, 1024K x 18 18Mb SYNCHRONOUS PIPELINED, DOUBLE CYCLE DESELECT STATIC RAM |
| IS61LPD51236A-200TQI | 512K x 36, 1024K x 18 18Mb SYNCHRONOUS PIPELINED, DOUBLE CYCLE DESELECT STATIC RAM |
| IS61LPD51236A-200TQLI | 512K x 36, 1024K x 18 18Mb SYNCHRONOUS PIPELINED, DOUBLE CYCLE DESELECT STATIC RAM |
| IS61LPD51236A-250B3 | 512K x 36, 1024K x 18 18Mb SYNCHRONOUS PIPELINED, DOUBLE CYCLE DESELECT STATIC RAM |
| IS61LPD51236A-250B3I | 512K x 36, 1024K x 18 18Mb SYNCHRONOUS PIPELINED, DOUBLE CYCLE DESELECT STATIC RAM |
相關(guān)代理商/技術(shù)參數(shù) |
參數(shù)描述 |
|---|---|
| IS61LPD51236A-200B3I-TR | 功能描述:靜態(tài)隨機(jī)存取存儲器 18Mb,Pipeline,Sync,512K x 36,200MHz,3.3V or 2.5V I/O,165 Ball BGA RoHS:否 制造商:Cypress Semiconductor 存儲容量:16 Mbit 組織:1 M x 16 訪問時間:55 ns 電源電壓-最大:3.6 V 電源電壓-最小:2.2 V 最大工作電流:22 uA 最大工作溫度:+ 85 C 最小工作溫度:- 40 C 安裝風(fēng)格:SMD/SMT 封裝 / 箱體:TSOP-48 封裝:Tray |
| IS61LPD51236A-200B3-TR | 功能描述:靜態(tài)隨機(jī)存取存儲器 18Mb 512Kx36 200MHz Sync 靜態(tài)隨機(jī)存取存儲器 3.3v RoHS:否 制造商:Cypress Semiconductor 存儲容量:16 Mbit 組織:1 M x 16 訪問時間:55 ns 電源電壓-最大:3.6 V 電源電壓-最小:2.2 V 最大工作電流:22 uA 最大工作溫度:+ 85 C 最小工作溫度:- 40 C 安裝風(fēng)格:SMD/SMT 封裝 / 箱體:TSOP-48 封裝:Tray |
| IS61LPD51236A-200TQ | 制造商:ISSI 制造商全稱:Integrated Silicon Solution, Inc 功能描述:512K x 36, 1024K x 18 18Mb SYNCHRONOUS PIPELINED, DOUBLE CYCLE DESELECT STATIC RAM |
| IS61LPD51236A-200TQI | 功能描述:靜態(tài)隨機(jī)存取存儲器 18Mb 512Kx36 200MHz Sync 靜態(tài)隨機(jī)存取存儲器 3.3v RoHS:否 制造商:Cypress Semiconductor 存儲容量:16 Mbit 組織:1 M x 16 訪問時間:55 ns 電源電壓-最大:3.6 V 電源電壓-最小:2.2 V 最大工作電流:22 uA 最大工作溫度:+ 85 C 最小工作溫度:- 40 C 安裝風(fēng)格:SMD/SMT 封裝 / 箱體:TSOP-48 封裝:Tray |
| IS61LPD51236A-200TQI-TR | 功能描述:靜態(tài)隨機(jī)存取存儲器 18Mb 512Kx36 200MHz Sync 靜態(tài)隨機(jī)存取存儲器 3.3v RoHS:否 制造商:Cypress Semiconductor 存儲容量:16 Mbit 組織:1 M x 16 訪問時間:55 ns 電源電壓-最大:3.6 V 電源電壓-最小:2.2 V 最大工作電流:22 uA 最大工作溫度:+ 85 C 最小工作溫度:- 40 C 安裝風(fēng)格:SMD/SMT 封裝 / 箱體:TSOP-48 封裝:Tray |
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