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參數(shù)資料
| 型號(hào)： | IS61LPD25636A-200B3 |
| 廠商： | INTEGRATED SILICON SOLUTION INC |
| 元件分類： | SRAM |
| 英文描述： | 256K x 36, 512K x 18 9 Mb SYNCHRONOUS PIPELINED, DOUBLE CYCLE DESELECT STATIC RAM |
| 中文描述： | 256K X 36 CACHE SRAM, 3.1 ns, PBGA165 |
| 封裝： | 13 X 15 MM, 1 MM PITCH, PLASTIC, BGA-165 |
| 文件頁(yè)數(shù)： | 28/32頁(yè) |
| 文件大?。?/td> | 311K |
| 代理商： | IS61LPD25636A-200B3 |
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Integrated Silicon Solution, Inc. — 1-800-379-4774
5
Rev. B
12/13/06
IS61VPD25636A, IS61VPD51218A, IS61LPD25636A, IS61LPD51218A
ISSI
119 BGA PACKAGE PIN CONFIGURATION
512KX18 (TOP VIEW)
PIN DESCRIPTIONS
Note: * A0 and A1 are the two least significant bits (LSB) of the address field and set the internal burst counter if burst is
desired.
123456
7
A
VDDQ
AA
ADSP
AA
VDDQ
B
NC
CE2
A
ADSC
A
NC
C
NC
A
VDD
A
NC
D
DQb
NC
Vss
NC
Vss
DQPa
NC
E
NC
DQb
Vss
CE
Vss
NC
DQa
F
VDDQ
NC
Vss
OE
Vss
DQa
VDDQ
G
NC
DQb
BWb
ADV
Vss
NC
DQa
H
DQb
NC
Vss
GW
Vss
DQa
NC
J
VDDQ
VDD
NC
VDD
NC
VDD
VDDQ
K
NC
DQb
Vss
CLK
Vss
NC
DQa
L
DQb
NC
Vss
NC
BWa
DQa
NC
M
VDDQ
DQb
Vss
BWE
Vss
NC
VDDQ
N
DQb
NC
Vss
A1*
Vss
DQa
NC
P
NC
DQPb
Vss
A0*
Vss
NC
DQa
R
NC
A
MODE
VDD
NC
A
NC
T
NC
A
NC
A
ZZ
U
VDDQ
TMS
TDI
TCK
TDO
NC
VDDQ
Symbol
Pin Name
A
Address Inputs
A0, A1
Synchronous Burst Address Inputs
ADV
Synchronous Burst Address
Advance
ADSP
Address Status Processor
ADSC
Address Status Controller
GW
Global Write Enable
CLK
Synchronous Clock
CE, CE2
Synchronous Chip Select
BWx (x=a,b) Synchronous Byte Write Controls
BWE
Byte Write Enable
Symbol
Pin Name
OE
Output Enable
ZZ
Power Sleep Mode
MODE
Burst Sequence Selection
TCK, TDO
JTAG Pins
TMS, TDI
NC
No Connect
DQa-DQb
Data Inputs/Outputs
DQPa-Pb
Output Power Supply
VDD
Power Supply
VDDQ
Output Power Supply
Vss
Ground
相關(guān)PDF資料 |
PDF描述 |
|---|---|
| IS61LPD25636A-200B3I | 256K x 36, 512K x 18 9 Mb SYNCHRONOUS PIPELINED, DOUBLE CYCLE DESELECT STATIC RAM |
| IS61LPD25636A-200TQ | 256K x 36, 512K x 18 9 Mb SYNCHRONOUS PIPELINED, DOUBLE CYCLE DESELECT STATIC RAM |
| IS61LPD25636A-200TQ2I | 256K x 36, 512K x 18 9 Mb SYNCHRONOUS PIPELINED, DOUBLE CYCLE DESELECT STATIC RAM |
| IS61LPD25636A-200TQI | 256K x 36, 512K x 18 9 Mb SYNCHRONOUS PIPELINED, DOUBLE CYCLE DESELECT STATIC RAM |
| IS61LPD25636A-250B2 | 256K x 36, 512K x 18 9 Mb SYNCHRONOUS PIPELINED, DOUBLE CYCLE DESELECT STATIC RAM |
相關(guān)代理商/技術(shù)參數(shù) |
參數(shù)描述 |
|---|---|
| IS61LPD25636A-200B3I | 制造商:ISSI 制造商全稱:Integrated Silicon Solution, Inc 功能描述:256K x 36, 512K x 18 9 Mb SYNCHRONOUS PIPELINED, DOUBLE CYCLE DESELECT STATIC RAM |
| IS61LPD25636A-200TQ | 制造商:ISSI 制造商全稱:Integrated Silicon Solution, Inc 功能描述:256K x 36, 512K x 18 9 Mb SYNCHRONOUS PIPELINED, DOUBLE CYCLE DESELECT STATIC RAM |
| IS61LPD25636A-200TQ2I | 制造商:ISSI 制造商全稱:Integrated Silicon Solution, Inc 功能描述:256K x 36, 512K x 18 9 Mb SYNCHRONOUS PIPELINED, DOUBLE CYCLE DESELECT STATIC RAM |
| IS61LPD25636A-200TQI | 制造商:ISSI 制造商全稱:Integrated Silicon Solution, Inc 功能描述:256K x 36, 512K x 18 9 Mb SYNCHRONOUS PIPELINED, DOUBLE CYCLE DESELECT STATIC RAM |
| IS61LPD25636A-200TQLI | 功能描述:靜態(tài)隨機(jī)存取存儲(chǔ)器 8M (256Kx36) 200MHz Sync 靜態(tài)隨機(jī)存取存儲(chǔ)器 3.3v RoHS:否 制造商:Cypress Semiconductor 存儲(chǔ)容量:16 Mbit 組織:1 M x 16 訪問時(shí)間:55 ns 電源電壓-最大:3.6 V 電源電壓-最小:2.2 V 最大工作電流:22 uA 最大工作溫度:+ 85 C 最小工作溫度:- 40 C 安裝風(fēng)格:SMD/SMT 封裝 / 箱體:TSOP-48 封裝:Tray |
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