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參數(shù)資料
| 型號(hào)： | IS45VS16160D-8BLA2 |
| 廠商： | INTEGRATED SILICON SOLUTION INC |
| 元件分類： | DRAM |
| 英文描述： | 16M X 16 SYNCHRONOUS DRAM, 6 ns, PBGA54 |
| 封裝： | 13 X 8 MM, 0.80 MM PITCH, LEAD FREE, MS-207, BGA-54 |
| 文件頁數(shù)： | 3/61頁 |
| 文件大小： | 939K |
| 代理商： | IS45VS16160D-8BLA2 |
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Integrated Silicon Solution, Inc. — www.issi.com
11
Rev. 00A
04/21/09
IS42VS83200D, IS42VS16160D
IS45VS83200D, IS45VS16160D
Current State
CS
RAS CAS
WE
Address
Command
Action
Readwithauto
H
×
DESL
Continuebursttoend,Precharge
Precharging
L
H
x
NOP
Continuebursttoend,Precharge
L
H
L
×
BST
ILLEGAL
L
H
L
H
BA,CA,A10
READ/READA
ILLEGAL(11)
L
H
L
BA,CA,A10
WRIT/WRITA
ILLEGAL(11)
L
H
BA,RA
ACT
ILLEGAL(3)
L
H
L
BA,A10
PRE/PALL
ILLEGAL(11)
L
H
×
REF/SELF
ILLEGAL
L
OC,BA
MRS
ILLEGAL
WritewithAuto
H
×
DESL
Continuebursttoend,Write
Precharge
recoveringwithautoprecharge
L
H
×
NOP
Continuebursttoend,Write
recovering with auto precharge
L
H
L
×
BST
ILLEGAL
L
H
L
H
BA,CA,A10
READ/READA
ILLEGAL(11)
L
H
L
BA,CA,A10
WRIT/WRITA
ILLEGAL(11)
L
H
BA,RA
ACT
ILLEGAL(3,11)
L
H
L
BA,A10
PRE/PALL
ILLEGAL(3,11)
L
H
×
REF/SELF
ILLEGAL
L
OC,BA
MRS
ILLEGAL
Precharging
H
×
DESL
Nop,EnteridleaftertRP
L
H
×
NOP
Nop,EnteridleaftertRP
L
H
L
×
BST
Nop,EnteridleaftertRP
L
H
L
H
BA,CA,A10
READ/READA
ILLEGAL(3)
L
H
L
BA,CA,A10
WRIT/WRITA
ILLEGAL(3)
L
H
BA,RA
ACT
ILLEGAL(3)
L
H
L
BA,A10
PRE/PALL
NopEnteridleaftertRP
L
H
×
REF/SELF
ILLEGAL
L
OC,BA
MRS
ILLEGAL
RowActivating
H
×
DESL
Nop,EnterbankactiveaftertRCD
L
H
×
NOP
Nop,EnterbankactiveaftertRCD
L
H
L
×
BST
Nop,EnterbankactiveaftertRCD
L
H
L
H
BA,CA,A10
READ/READA
ILLEGAL(3)
L
H
L
BA,CA,A10
WRIT/WRITA
ILLEGAL(3)
L
H
BA,RA
ACT
ILLEGAL(3,9)
L
H
L
BA,A10
PRE/PALL
ILLEGAL(3)
L
H
×
REF/SELF
ILLEGAL
L
OC,BA
MRS
ILLEGAL
FUNCTIONAL TRUTH TABLE Continued:
Note:H=Vih,L=Vilx=VihorVil,V=ValidData,BA=BankAddress,CA+ColumnAddress,RA=RowAddress,OC=Op-Code
相關(guān)PDF資料 |
PDF描述 |
|---|---|
| IS43R32800B-5BL | 8M X 32 DDR DRAM, 0.7 ns, PBGA144 |
| IS61C512-25TI | x8 SRAM |
| IS61C512-35J | x8 SRAM |
| IS61C512-35JI | x8 SRAM |
| IS61C512-35K | x8 SRAM |
相關(guān)代理商/技術(shù)參數(shù) |
參數(shù)描述 |
|---|---|
| IS4600 | 制造商:Isocom Components 功能描述:. |
| IS46D | 制造商:IDEC Corporation 功能描述:Sensor inductive 18mm PNP |
| IS46DK | 制造商:IDEC Corporation 功能描述:SENS.IND. 10-30VDC PNP NO NC |
| IS46DR16128-3DBLA1 | 功能描述:動(dòng)態(tài)隨機(jī)存取存儲(chǔ)器 Automotive 2G,1.8V DDR2,128Mx16,333Mhz RoHS:否 制造商:ISSI 數(shù)據(jù)總線寬度:16 bit 組織:1 M x 16 封裝 / 箱體:SOJ-42 存儲(chǔ)容量:16 MB 最大時(shí)鐘頻率: 訪問時(shí)間:50 ns 電源電壓-最大:7 V 電源電壓-最小:- 1 V 最大工作電流:90 mA 最大工作溫度:+ 85 C 封裝:Tube |
| IS46DR16128-3DBLA1-TR | 功能描述:動(dòng)態(tài)隨機(jī)存取存儲(chǔ)器 Automotive,2G,1.8V DDR2,128Mx16,333Mhz RoHS:否 制造商:ISSI 數(shù)據(jù)總線寬度:16 bit 組織:1 M x 16 封裝 / 箱體:SOJ-42 存儲(chǔ)容量:16 MB 最大時(shí)鐘頻率: 訪問時(shí)間:50 ns 電源電壓-最大:7 V 電源電壓-最小:- 1 V 最大工作電流:90 mA 最大工作溫度:+ 85 C 封裝:Tube |
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