參數(shù)資料
型號： IRS21952STRPBF
廠商： International Rectifier
英文描述： Asynchronous SRAM; Organization (word): 256K; Organization (bit): x 16; Memory capacity (bit): 4M; Access time (ns): 12; Supply voltage (V): 3.0 to 3.6; Operating temperature (°C): 0 to 70; Package: TSOPII (44); Status:   Remarks:  
中文描述： 高壓側
文件頁數(shù)： 4/17頁
文件大小： 205K
代理商： IRS21952STRPBF
IRS21952SPBF
4
Dynamic Electrical Characteristics (All values are target data)
(VB-VS)= 15 V. C
L
= 1000 pF unless otherwise specified. All parameters are reference to COM. T
A
= 25
o
C unless
otherwise specified.
Symbol
Definition
Min
Turn-on propagation delay of high
and low side
Turn-off propagation delay of high
and low side
Turn-on rise time of high and low
side
Turn-off fall time of high and low
side
Turn on propagation delay
matching
Turn off propagation delay
matching
Typ
Max
Units
Test Conditions
t
on
---
330
---
V
SS
=200 V, V
S
=0 V
t
off
---
330
---
V
SS
=200 V, V
S
=400 V
t
r
---
25
70
V
SS
=200 V, V
S
=0 V
t
f
---
25
70
V
SS
=200 V, V
S
=400 V
MT_on
---
---
50
V
SS
=200 V, V
S
=0 V
MT_off
---
---
50
ns
V
SS
=200 V, V
S
=400 V
相關PDF資料
PDF描述
IRS21953SPBF HIGH SIDE & DUAL LOW SIDE DRIVER IC
IRS2308 HALF-BRIDGE DRIVER
IRS2308PbF HALF-BRIDGE DRIVER
IRS2308S Fast SRAM > Network SRAM; Organization (word): 512K; Organization (bit): x 36; Memory capacity (bit): 18M; Supply voltage (V): 3.135 to 3.465; Operating temperature (°C): 0 to 70; Package: TQFP (100)
IRS2308SPbF Fast SRAM > Late Write Synchronous SRAM; Organization (word): 1M; Organization (bit): x 36; Memory capacity (bit): 32M; Supply voltage (V): 300; Operating temperature (°C): 1.5; Package: BGA (119)
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參數(shù)描述
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IRS21953STRPBF 功能描述:功率驅動器IC Hi Sd & Dual Lw Sd Drvr RoHS:否 制造商:Micrel 產(chǎn)品:MOSFET Gate Drivers 類型:Low Cost High or Low Side MOSFET Driver 上升時間: 下降時間: 電源電壓-最大:30 V 電源電壓-最小:2.75 V 電源電流: 最大功率耗散: 最大工作溫度:+ 85 C 安裝風格:SMD/SMT 封裝 / 箱體:SOIC-8 封裝:Tube
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